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金融界2024年12月25日消息，国家知识产权局信息显示，杭州芯迈半导体技术有限公司申请一项名为“沟槽功率器件的T型栅的制作方法及沟槽功率器件”的专利，公开号 CN 119170493 A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本申请公开了一种沟槽功率器件的T型栅的制作方法及沟槽功率器件，该制作方法包括：提供一基底；在基底表面刻蚀出沟槽；在沟槽内形成第一介质层，第一介质层覆盖沟槽的侧壁和底表面；对形成了第一介质层的沟槽进行填充，以形成牺牲结构；将第一介质层在沟槽槽口处的部分去除；去除牺牲结构以及在去除了第一介质层后的沟槽槽口处的侧壁上形成第二介质层第二介质的厚度小于第一介质层；以及采用导电材料对去除了牺牲结构和形成了第二介质层的沟槽进行填充，以形成电极结构。本申请能够通过工艺流程的简化降低T型栅的制作成本。
本文源自：金融界
作者：情报员
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