北京
分享至
金融界2024年12月4日消息，国家知识产权局信息显示，南昌三盛半导体有限公司申请一项名为“一种电阻式传感器用图形化处理方法及电阻式传感器”的专利，公开号CN 119061366 A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种电阻式传感器用图形化处理方法及电阻式传感器，该方法包括以下步骤：提供一氧化铝衬底，并基于磁控溅射技术对氧化铝衬底的表面进行成膜处理形成导电金属层；在完成成膜处理的氧化铝衬底上进行光刻显影处理，露出部分导电金属层，得到与第一光刻胶层对应的第一目标图形；对完成显影处理的氧化铝衬底进行蚀刻，以去除部分导电金属层，以完成氧化铝衬底的图形化处理。通过先进行成膜处理，进一步通过光刻显影形成第一目标图形，然后通过刻蚀将目标图形转移至导电金属层，以完成导电金属层的图像化处理，相对于先制备图形后成膜的工艺，避免了剥离困难，图形化效果不佳的问题，得到具有低粗糙度、高深宽比、高可靠性的图形化结构。
本文源自：金融界
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
