山东
韩国内存大厂SK海力士今日宣布，量产全球最高321层堆栈1Tb TLC 4D NAND Flash闪存。
SK海力士表示，2023年6月量产上代238层堆栈NAND Flash后，现又先推出超过300层堆栈的NAND Flash，突破界线。SK海力士计划2025上半年起，供货321层堆栈产品。
产品开发采高生产效率3-Plug制程，克服堆栈局限。分三次通孔制程，优化后续工程，三个通孔以电气连接。并开发低变形材料，引进通孔自动排列（alignment）矫正。
团队也将上代238层堆栈NAND Flash平台用于321层堆栈产品，最大限度减少制程变化。与上代相较，生产效率提升59%。321层堆栈产品与上代相较，数据传输速度和读取性能分别提高12%、13%，数据读取能效也提高10%以上。SK海力士接下来将以321层堆栈NAND Flash应对AI低功耗、高性能市场，逐渐扩大应用范围。
NAND Flash开发副社长崔正达表示，先投入300层堆栈以上NAND Flash量产，攻占AI数据中心固态硬盘、边缘AI等AI内存市场有利地位。将来不仅HBM为代表的DRAM领域，NAND Flash领域也有超高性能产品组合，跃升为全方位AI内存商。
(首图来源：SK海力士)
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