北京
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金融界2024年11月15日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN 118943167 A，申请日期为2023年5月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括长沟道区；在所述长沟道区的衬底上形成交替堆叠的牺牲层和沟道层，其中所述牺牲层的侧壁形成有内隔离层，所述牺牲层中形成有牺牲内隔离层；在所述沟道层和所述内隔离层的侧壁形成源漏；去除所述内隔离层和所述牺牲内隔离层之间的所述牺牲层；去除所述牺牲内隔离层，露出所述沟道层的沟道表面。本申请的半导体结构及其形成方法能够解决长沟道层的黏连及源漏的损伤问题。
本文源自：金融界
作者：情报员
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