北京
分享至
金融界2024年11月12日消息，国家知识产权局信息显示，苏州英嘉通半导体有限公司取得一项名为“基于衬底剥离工艺的氮化镓器件”的专利，授权公告号CN 221977863 U，申请日期为2024年1月。
专利摘要显示，本实用新型涉及半导体技术领域，公开了一种基于衬底剥离工艺的氮化镓器件，在氮化镓器件的底部蓝宝石基底替换为金属种子层及金属电极层，对于水平器件，大大提高了其散热效能，对于垂直器件，直接降低了制作成本。本实用新型通过传统蓝宝石衬底剥离技术后直接电镀金属的方式，以高导热性的金属作为散热衬底，同时也避免了使用其他散热基板的需要，相比传统基于衬底剥离的散热方案，工艺更简单，成本也更低。
本文源自：金融界
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
