GaN+SiC！纳微全球首发8.5kW AI数据中心服务器电源

来源：市场资讯

效率超97.5%！由高功率 GaNSafe™ 和第三代快速碳化硅MOSFETs 打造的下一代电源方案，完美适配AI和超大规模数据中心

加利福尼亚州托伦斯2024年11月5日讯 – 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及下一代氮化镓（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技术领导者——纳微半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS) 今日发布全球首款8.5kW AI数据中心服务器电源，其采用了氮化镓和碳化硅技术的混合设计，实现了>97.5%的超高效率，完美适配AI和超大规模数据中心。

这款针对AI数据中心优化的输出电压为54V的服务器电源，符合开放计算项目（OCP）和开放机架v3（ORv3）规范，其三相交错PFC和LLC拓扑结构中采用了高功率GaNSafe™氮化镓功率芯片和第三代快速碳化硅 MOSFETs，以确保实现最高效率和最佳性能，同时将无源器件的数量降至最低。

与竞争对手使用的两相拓扑相比，该电源所采用的三相拓扑结构，能为PFC和LLC带来行业内最低的纹波电流和EMI。此外，与最接近的竞品相比，该电源的氮化镓和碳化硅器件数量要少25%，进而降低了整体成本。该电源的输入电压范围为180至264 Vac，待机输出电压为12V，工作温度范围为-5°C至45°C，在8.5kW时的保持时间为10ms，通过扩展器可达到20ms。

该电源的三相LLC拓扑结构由高功率GaNSafe氮化镓功率芯片驱动，该芯片专为要求严苛的高功率应用（如AI数据中心和工业市场）而设计打造。GaNSafe作为纳微的第四代氮化镓产品集成了控制、驱动、传感和关键保护功能，具备前所未有的可靠性和鲁棒性。

作为全球氮化镓功率芯片的安全巅峰，GaNSafe具有短路保护（最大延迟350ns）、所有引脚均有2kV ESD保护、消除负栅极驱动和可编程的斜率控制。所有这些功能都可通过芯片4个引脚控制，使得封装可以像一个离散的氮化镓FET一样被处理，不需要额外的VCC引脚、纳微的650V GaNSafe目前提供TOLL和TOLT两种封装，RDS(ON)MAX范围从25到98mΩ，可应用于1kW 到22kW的大功率应用场景。

该电源的三相交错CCM TP-PFC由第三代快速碳化硅MOSFETs驱动，其采用了“沟槽辅助平面”技术。该技术是GeneSiC超过20年的碳化硅行业深耕的匠心之作，可提供全球领先的温度性能，具备低温升运行、快速开关和卓越的鲁棒性的特点，以加速电动汽车的充电速度或为AI数据中心增进3倍功率。

纳微半导体

首席执行官兼联合创始人

Gene Sheridan

“纳微完整的氮化镓和碳化硅产品组合，是纳微AI数据中心电源技术路线图不断发展的关键所在，刚刚发布的8.5kW电源正是最好的体现，而短期内我们也将陆续推出12kW甚至更高功率的服务器电源。

目前，全球大部分数据中心都无法满足英伟达最新Blackwell GPUs的功率需求，这暴露了整个行业生态准备不足的困境，而我们全新的8.5kW电源将是解决AI和超大规模数据中心功率需求问题的关键秘钥。”

值得关注的是，纳微半导体应用总监李宾博士将参加2024年11月18-21日，在苏州国际博览中心G馆举办的“第十届国际第三代半导体论坛&第二十一届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA2024）”，并将在“产业峰会：功率模块与电源技术应用峰会”分享主题报告。点击查看详细日程

（转自：第三代半导体产业）