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金融界2024年10月18日消息，国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种第三代半导体发光元件”的专利，公开号 CN 118782702 A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种第三代半导体发光元件。该第三代半导体发光元件，从下至上依次包括衬底、n型半导体，有源层和p型半导体，所述n型半导体与有源层之间具有闸流体调制层，所述闸流体调制层包括第一闸流体调制层和第二闸流体调制层；该第三代半导体发光元件，通过调控第一闸流体抑制层与第二闸流体抑制层界面以及第二闸流体抑制层与有源层界面的空穴迁移率、轻空穴有效质量的分布和变化角度，抑制PN相互交错产生结间电容，同时，控制界面的共价键能和纵向声速的分布和变化角度，抑制深能级缺陷中心，解决半导体发光元件使用过程中产生点亮不一致问题，并且，光提取效率，提高半导体发光元件的发光效率。
本文源自：金融界
作者：情报员
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