被美国打压后，长存进行国产替代，但技术倒退至160层？

在2017年前，国内没有存储芯片生产能力，几乎100%靠进口。

不管是DRAM内存颗粒，还是SSD这样的产品中使用的NAND芯片，全部是国外品牌，没有国产的。

也正因为如此，所以后来中国成立了三大内存生产基地，分别是长鑫存储、长江存储、晋华。

后来晋华为被美光起诉，被美国制裁等，陷入停滞状态，只有长鑫、长存在努力，一个主攻DRAM内存，一个主攻NAND闪存。

但因为都是2017年左右才算真正开始，所以相比于三星、美光、SK海力士这样的国际巨头，落后了几十年。

在这样的落后的情况之下，中国厂商却努力突破，研发各种技术，以期追上世界顶尖水平。

而在2022年的时候，长存做到了，率先在全球推出第一款232层堆叠的3D NAND闪存芯片，领先于美光、三星、SK海力士。

于是美国害怕了，担心中国存储芯片崛起，威胁到美国的地位，于是将长存拉入黑名单，进行制裁，不允许先进设备卖给长存。

在这样的情况之下，长存怎么办？只能进行国产替代，用国产设备来替代国外的设备。

近日，有媒体报道称，虽然被美国打压，但长江存储展现出了惊人的韧性和创新能力，积极转向国内半导体设备供应商，如中微公司、北方华创和拓荆科技，已经成功实现了部分美系设备的替代。

不仅保障了生产线的稳定运行，还推动了国产半导体设备的技术进步。还开发出了晶栈Xtacking4.0技术，并推出了搭载该技术NAND产品。

据TechInsights对长存TiPlus7100 SSD的拆解，发现了可能应用xtacking 4.0工艺的颗粒。

TechInsights表示，这款产品晶粒密度为12.66 Gb/mm2，芯片密度为0.632 mm2/GB，而层数大约为160层。

与之前232层相比，从层数来看，确实是倒退了76层，从232层倒退至160层了。为何会倒退了呢？专业人士表示称，这是因为逐渐加大设备国产化的力度，以应对美国对设备的制裁。

而国产设备确实在先进性方面，逊色于美国以及日本的设备一筹，所以长存特别降低了层数，是为了和国产设备相适配，同时提高良率，从而采用了较低的复杂性和芯片尺寸，来保证产品正常量产。

所以，表面上来看，技术有一定倒退，但实际上却是整个国产供应链的胜利，因为这代表的是国产供应链的一大进步！