北京
研究人员设计了一种开创性的材料，通过扭曲石墨烯和硒化钨层，利用独特的自旋相关特性。
这种自旋电子学领域的创新技术可以彻底改变先进电子设备的发展，增强磁存储器与处理器的集成，并克服当前处理自旋电流的限制。
开创性的自旋电子学材料
与布拉格查尔斯大学和圣塞巴斯蒂安CFM（CSIC-UPV/EHU）中心的研究人员合作，CIC nanoGUNE的纳米器件小组设计了一种新的复杂材料，在自旋电子学领域具有新兴的特性。这一发现发表在《自然材料》杂志上，为开发新型、更高效、更先进的电子设备开辟了一系列新的可能性，比如那些将磁存储器集成到处理器中的电子设备。
具有独特特性的二维材料的发现导致了对这些材料的研究热潮，因为当两层这些材料堆叠形成异质结构时会产生新的效应。最近已经观察到，这些层的微小旋转可以显着改变这种异质结构的性质。
材料堆叠中的创新扭曲技术
“在这项工作中，我们研究了两层石墨烯和硒化钨（WSe2）的堆叠，”Ikerbasque研究教授fsamlix Casanova解释说，他是nanoGUNE纳米器件小组的联合负责人，也是这项工作的负责人。“如果把这两层材料一层叠在另一层上，并以一个精确的角度旋转，就会在一个特定的方向上产生自旋电流，”Casanova补充说。
自旋（电子和其他粒子的特性之一）通常沿垂直于电流的方向传递。处理这些自旋电流是自旋电子学（利用自旋来存储、处理和传输信息的电子学）的主要限制之一。然而，“这项工作表明，当使用合适的材料时，这种限制实际上消失了，”fsamlix Casanova强调说。
对未来电子设备的影响
研究人员得出结论：“通过简单地堆叠两层并施加‘神奇’扭曲，可以获得初始材料中不存在的与自旋相关的新特性。我们在材料选择上的灵活性越大，下一代设备的设计可能性就越大。”
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