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Lam Research Corp.今天推出了Lam Cryo 3.0，这是该公司经过生产验证的第三代低温介质刻蚀技术。随着人工智能（AI）的普及，人们对更大容量和更高性能的存储器的需求不断增长，Lam Cryo 3.0 为未来尖端 3D NAND 的制造提供了至关重要的刻蚀能力。Lam Cryo 3.0利用超低温、高功率封闭等离子反应器技术和表面化学创新，以业界领先的精度和轮廓控制进行蚀刻。
"Lam Cryo 3.0为客户实现1000层3D NAND铺平了道路，"Lam Research全球产品部高级副总裁Sesha Varadarajan说。"我们的最新技术是三维 NAND 生产领域的一项突破。它能以埃级精度创建高宽比（HAR）特征，同时降低对环境的影响，蚀刻速度是传统介电工艺的两倍多。Lam Cryo 3.0 是我们的客户克服人工智能时代关键 NAND 制造障碍所需的蚀刻技术。"
迄今为止，3D NAND主要是通过垂直层存储单元的堆叠来实现的，而这是通过蚀刻深而窄的HAR存储通道来实现的。这些特征与目标轮廓之间微小的原子级偏差会对芯片的电气性能产生负面影响，并可能影响良率。Lam Cryo 3.0经过优化，能够解决这些问题以及其他蚀刻难题。
"人工智能正在推动云和边缘对闪存容量和性能的指数级需求。"Counterpoint Research联合创始人兼研究副总裁Neil Shah表示："这迫使芯片制造商扩大NAND闪存的规模，力争在2030年底实现1000层3D NAND。"Lam Cryo 3.0低温蚀刻技术是超越传统技术的重大飞跃。它能以近乎完美的精度和控制能力蚀刻比其宽度深 50 倍以上的内存通道，实现小于 0.1% 的轮廓偏差。这一突破大大提高了先进 3D NAND 的良率和整体性能。"
Lam Cryo 3.0利用公司独特的高功率封闭等离子反应器、工艺改进和远低于零下摄氏度的温度，实现了对新型蚀刻化学物质的利用。当与 Lam 公司最新 Vantex 介电系统的可扩展脉冲等离子体技术相结合时，蚀刻深度和剖面控制得到显著提高。利用 Lam Cryo 3.0 技术，三维 NAND 制造商可以蚀刻深度达 10 微米的存储器通道，而特征的临界尺寸从顶部到底部的偏差小于 0.1%。
其他亮点包括：
生产率：与传统介电工艺相比，Lam Cryo 3.0 的蚀刻速度快两倍半，晶圆间重复性更好，有助于 3D NAND 制造商以更低的成本实现高产量。
可持续性：与传统蚀刻工艺相比，Lam Cryo 3.0蚀刻工艺的单晶片能耗降低了40%，排放量减少了90%。
设备投资最大化：Lam Cryo 3.0可集成到Lam公司最新的Vantex系统中，以实现最佳的剖面控制以及最快、最深的介质刻蚀。它还与公司的 Flex HAR 介质蚀刻机产品组合兼容，所有主要内存制造商都使用该设备进行 3D NAND 量产。
Lam Cryo 3.0 进一步扩展了公司在晶圆制造蚀刻技术领域二十年的领先地位，其中包括七代 3D NAND。Lam 于 2019 年推出了全球首款投入量产的低温蚀刻产品。在目前用于 NAND 生产的 7500 多个 Lam HAR 介质刻蚀室中，有近 1000 个使用了低温刻蚀技术。
Lam Cryo 3.0现已面向领先的存储器制造商推出。它是 Lam 用于 3D NAND 制造的蚀刻、沉积和清洁解决方案广泛产品组合的最新成员。
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