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SiC作为第三代半导体材料的代表性材料，具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子饱和迁移速率和高导热率等优良特性，使其在电力电子器件领域得到广泛关注。碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体是目前主要的功率器件类型之一，其中，沟槽结构MOSFET（U-MOSFET）相对于传统的平面结构MOSFET有更低的导通损耗、更好的开关性能、可提高晶圆密度并可避免寄生JFET效应的产生，近年来备受关注。
制备沟槽型MOSFET的一项重要制程工艺就是对SiC材料的刻蚀。刻蚀技术是SiC 器件研制中的一项关键支撑技术，在SiC器件制备过程中，刻蚀工艺的刻蚀精度、刻蚀损伤以及刻蚀表面残留物均对SiC器件的研制和性能有致命的影响。刻蚀沟槽型碳化硅MOS管的主要难点：侧壁角度的刻蚀，及U型槽的实现。
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