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常见的非辐射损耗是由于钙钛矿表面、钙钛矿主体内以及钙钛矿和电荷传输层之间的界面处的陷阱态而发生的。据报道，带隙超出研究最多的∼1.49–1.57 eV范围的钙钛矿的辐射效率通常较低，这表明如果可以解开不同薄膜和器件堆栈中非辐射损耗的起源，则性能仍有待实现。
根据实验数据和模拟，华盛顿大学David S. Ginger等人重点介绍了拟合卤化物钙钛矿半导体的时间分辨光致发光 (TRPL) 衰变的最佳实践，这些半导体目前在光伏和发光二极管 (LED) 中的应用得到广泛研究。首先，在低激发强度下，高质量钙钛矿通常表现出伪一级动力学，与经典的少数载流子寿命一致。其次，在低激发强度下经常观察到的多指数衰减通常具有空间异质性的显着贡献。我们建议用拉伸指数拟合此类衰减，其中拉伸因子 (β) 可用于表征局部寿命分布的异质性。第三，PL 衰变动力学可能取决于激发波长。
作者讨论穿透深度、载流子扩散和表面复合如何影响测量，并就选择适合当前问题的实验参数提出建议。考虑到这些因素将为载流子复合提供更可靠的物理解释，并更好地理解钙钛矿半导体的非辐射损耗。
Margherita Taddei, et, al. Interpreting Halide Perovskite Semiconductor Photoluminescence Kinetics. ACS Energy Letters 0, 9
DOI: 10.1021/acsenergylett.4c00614
https://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/acsenergylett.4c00614
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