张文华&赵德威EES：0.394 V！最低宽带隙钙钛矿电池开压损失！

在具有宽带隙（~1.65–1.68 eV）的钙钛矿太阳能电池（PSC）中，由于不受控制的快速结晶导致钙钛矿薄膜质量差，导致开路电压（VOC）损失，从而限制了其进一步增强硅/钙钛矿串联太阳能电池（TSC）。

为了解决这个问题，云南大学张文华、四川大学赵德威、陈聪等人提出了一种定制的溶剂工程策略，通过用 1,3-二甲基-3,4,5,6-四氢-2(1H)-嘧啶酮 (DMPU) 部分替代二甲亚砜 (DMSO)，以实现高品质钙钛矿薄膜和高效钙钛矿太阳能电池，具有宽的反溶剂处理窗口。受益于DMPU和PbI2之间的强相互作用，DMPU定制溶剂有效地延迟和调节钙钛矿薄膜的结晶和生长过程，从而导致更大的晶粒并减少缺陷。

此外，形成的稳定的DMPU-PbI2中间相可以持续释放PbI2，减弱反溶剂滴加时间的影响，从而延长加工窗口。由于DMPU提高了薄膜质量，所制备的1.65 eV PSC的性能和稳定性得到了显著增强，实现了21.9%的功率转换效率（PCE）和高的1.256 V VOC。带隙损耗仅为0.394 V，这是用于硅/钙钛矿TSC 的宽带隙（1.65-1.68 eV）PSC 中损耗最低的值之一。

Wang, R.; Zhu, J.; You, J.; Huang, H.; Yang, Y.; Chen, R.; Wang, J.; Xu, Y.; Gao, Z.; Chen, J.; Xu, B.; Wang, B.; Chen, C.; Zhao, D.; Zhang, W.-H. Custom-tailored solvent engineering for efficient wide-bandgap perovskite solar cells with a wide processing window and low VOC losses. Energy Environ. Sci. 2024.

https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2024/ee/d4ee00330f

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