我们华林科纳研究了基于柠檬酸
(CA)
的清洗液来去除金属污染物硅片表面。
采用旋涂法对硅片进行
Fe
Ca
Zn
Na
Al
Cu
等标准污染，并在各种添加
Ca
的清洗液中进行清洗。
金属的浓度采用气相分解耦合等离子体质谱仪
(VPD/ICP-MS)
对清洗前后硅片表面的污染物进行分析。
并对其表面微粗糙度进行了测量通过原子力显微镜
(AFM)
来评估清洗溶液的效果。
结果表明
:CA/H2O
溶液呈酸性能去除硅表面的金属污染物。
硅表面的
Fe
Ca
Zn
Na
1012
个原子
/cm2
的数量级下降到大约是
109
个原子
平方厘米即使在低
CA
浓度，低温度下
CA
溶液，浸渍时间短。
CA
在碱清洗溶液中也有很好的效果。
铁，钙，锌，钠和铜被还原为
109
个原子
平方厘米在
CA
加入
NH4OH/H2O2/H2O
溶液中不降解表面。
柠檬酸，硅片，金属污染物，气相分解
介绍
随着
integrated(ULSI)
设备超大规模工艺对污染物的要求越来越严格，清洁工艺变得更加重要。
晶圆片表面的金属污染物是其性能的主要，例如增加
p-n
结漏电，降低氧化物击穿电压，加速载流子寿命的测定。据报道硅表面的金属污染需要加以抑制小于
1×1010
原子
/cm2
用于制造
64
DRAM
以防止上述故障的发生。
在未来，这个级别应该精确到
1×109
原子
平方厘米。首次提出了基于
H2O2
化学的湿法清洗技术通过
Kern
仍然主要用于半导体设备制造去除污染物，并已在最近几年的各种方法，以提高清洁效果或减少化学物质的消耗。略
结果与讨论
详细可以关注获取
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