直击调研 南大光电(300346.SZ)：年产45吨半导体先进制程用前驱体产品项目预计建设期为1年 静态投资回收期4.09年

智通财经APP获悉，11月22日，南大光电(300346.SZ)在接受调研时表示，公司已在多个产品中实现市占率领先或技术突破，推动半导体材料在多个细分产品上实现重大突破；公司年产45吨半导体先进制程用前驱体产品产业化项目预计建设期为1年，生产期14年，静态投资回收期为4.09年，市场前景良好；子公司乌兰察布南大微电子材料有限公司规划为年产7200T电子级三氟化氮项目，建设周期为36个月，目前正在按照规划有序推进。

南大光电介绍，公司是从事先进电子材料生产、研发和销售的高新技术企业，产品广泛应用于集成电路、平板显示、LED、第三代半导体、光伏和半导体激光器的生产制造。公司产品分为先进前驱体材料、电子特气和光刻胶及配套材料三个板块，目前主要收入贡献来自于先进前驱体材料和电子特气。

公司在半导体材料，光电及面板材料产业链多点布局，量产产品包括MO源、半导体前驱体、电子特气等，可在薄膜沉积、光刻、蚀刻、掺杂、清洗等多个集成电路制造流程中实现应用。公司已在多个产品中实现市占率领先或技术突破，推动半导体材料在多个细分产品上实现重大突破。

投资者提问，公司年产45吨半导体先进制程用前驱体产品市场前景如何？目前25吨光刻胶产能利用率什么时间能提高产能？对此，南大光电回答，年产45吨半导体先进制程用前驱体产品产业化项目预计建设期为1年，生产期14年，静态投资回收期为4.09年，市场前景良好。

三氟化氮规划产能及利用率方面，南大光电表示，子公司乌兰察布南大微电子材料有限公司规划为年产7200T电子级三氟化氮项目，建设周期为36个月，目前正在按照规划有序推进。

ARF光刻胶方面，南大光电透露，公司ArF光刻胶产品分别通过一家存储芯片制造企业和一家逻辑芯片制造企业的验证，目前多款产品正在多家客户同时进行认证。

对于公司募投项目目前进展情况，南大光电表示，年产45吨半导体先进制程用前驱体产品产业化项目预计建设期为12个月；年产140吨高纯磷烷、砷烷扩产及砷烷技改项目建设周期为12个月；乌兰察布南大微电子材料有限公司年产7200T电子级三氟化氮项目建设周期为36个月。上述项目建设正在按计划进行。

研发投入方面，南大光电指出，2019至2021年，公司研发投入分别为6,673.38万元、23,192.81万元和19,798.07万元，占营业收入的比例分别为20.77%、38.98%和20.11%。随着规模的不断扩张，公司将持续加大研发费用的投入，保障新技术应用、新产品开发的顺利实施，提高公司整体技术水平和研发实力。