市场传来的消息预示着高端芯片制造，EUV光刻机将不再是唯一选择

近期市场传来的消息预示着高端芯片制造，EUV光刻机将不再是唯一选择！

芯片制造一直都是我国亟需解决的问题，高端芯片更是我国科技发展的短板。也正因为如此，老美才利用自己的科技霸权对我国半导体芯片领域围堵。在芯片制造方面切断了台积电为国内企业代工的道路；在半导体设备方面，限制ASML向我国出口制造先进芯片必须用到的EUV光刻机。

众所周知，我国在芯片设计方面已经处于世界领先水平，苦于国内还没有可以制造高端芯片的厂商。就像任正非在2020年走访北京高校时说的那样：“华为不是设计不出先进芯片，只是国内的基础工业还无法达到制造先进芯片的水平”，并表示：“华为不可能既做产品，又去制造芯片”。

这并不是把国内遇到的芯片问题甩锅给国内基础制造业，而是呼吁国内对半导体芯片等基础制造业的重视。要知道，在芯片制造过程中，光刻机、光刻胶等半导体设备和芯片应用材料占有重要地位，没有它们芯片就无法诞生。

事实上，在国家政策持续支持下，芯片应用材料方面已经取得突破，例如晶瑞电材、南大光电、北京科华及上海新阳均在光刻胶领域取得重大突破，尤其是晶瑞电材，其高端KrF（248）光刻胶已完成中试，产品分辨率达到0.25-0.13μm；南大光电自主研发和产业化的ArF光刻胶（包含干式及浸没式）可以达到90nm-14nm的集成电路工艺节点，已经通过客户验证，将实现高端光刻胶材料的进口替代。

目前我国在高端芯片制造方面遇到最大的问题就是没有EUV光刻机，荷兰ASML作为全球唯一可以生产EUV光刻机的厂商，其生产线上使用大量的美技术和元器件，因为老美禁令而无法向我国出口EUV光刻机。那么，国内高端芯片制造就只能等待老美对EUV光刻机“解禁”吗？

很显然不是，面对这样的问题，国内企业没有坐以待毙，而是一方面继续对EUV光刻机技术进行研发突破；另一方面则是在寻找可以绕开EUV光刻机实现先进芯片制造的方法。而近期，半导体市场传来的三条消息，似乎连ASML也没有料到，一切来得这么快，高端芯片制造EUV光刻机将不再是唯一选择。

首先，11月初左右，美光宣布，采用全球最先进的1β(1-beta)制造工艺已经实现DRAM内存芯片的制造，能效提高15%左右，储存密度提升35%；更为关键的是，该制造工艺可以成功绕开EUV光刻机。

此消息一出瞬间引起业内的广泛关注，这对于我国高端芯片遇到的难题来说是一个好消息。国内芯片制造企业完全可以学习美光，另辟蹊径找到绕开EUV光刻机制造先进芯片的方法。

其次就是我国中科院已经在光量子芯片领域取得了重大进展，另外，有望填补我国在光子芯片晶圆代工领域的空白的第一条光子芯片生产线将于2023年在北京建成，可满足通信、数据中心、激光雷达、微波光子、医疗检测等领域需求。值得注意的是，光量子芯片的制造不需要用到EUV光刻机。

另外，据日媒报道，佳能公司与日本印刷、铠侠正共同开发纳米压印设备，并且日本研究者也已经演示了10纳米分辨率的纳米压印技术，据估计如使用纳米压印制造先进制程芯片，成本将比现有EUV光刻机降低40%，能耗减少90%，有望成为EUV光刻的替代工艺。

要知道，ASML是全球唯一一家可以生产EUV光刻机的企业，并且在全球光刻机市场占据主导地位；其凭借EUV光刻机独家制造，近年来赚的盆满钵满的。但随着近期美光、我国中科院及华为、日本佳能与铠侠另辟蹊径在高端芯片制造上取得的突破性进展，足以说明高端芯片的制造EUV光刻机不再是唯一选择。

值得一提的是华为提出的芯片叠加也已经取得突破，就是把两个成熟芯片通过先进的封装技术组合在一起来实现高端芯片的性能，换而言之就是把两个14nm工艺的芯片通过先进封装技术组合，来实现7nm甚至5nm芯片工艺的性能；并且前不久宣布已经取得了超导量子芯片的专利技术。

并且，芯片代工巨头台积电已经开始有意降低对EUV光刻机的依赖了，其联合三星记忆本、SK海力士等19家芯片巨头成立3D Fabric联盟。

由此可见，生产高端芯片并不一定必须使用EUV光刻机，目前各国以及代工巨头都在寻求绕过EUV光刻机的方法，并且均取得了一定的进展和技术突破。这意味着一条高端芯片制造的全新道路已经开始。

随着摩尔定律的物力极限，2nm芯片已经是电子芯片的尽头，再往前已很难取得突破。那么我国掌握的量子芯片技术、石墨烯芯片技术以及华为的芯片叠加技术一定会成为芯片制造领域的领航者。

不管怎么样，还是希望国内相关企业和机构继续努力向上，突破技术壁垒，早日打造出一条纯国产的半导体产业链，让别人不敢再欺负我们。始终坚信，任何阻碍我国科技发展的势力都是“纸老虎”，我们也终将会打破一切试图封锁我国科技发展的行为！