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SK 海力士刚刚宣布，其已开始量产业内性能领先的 HBM3 DRAM 存储器。去年 10 月，该公司率先发布了 HBM3 开发公告。七个月后，SK 海力士再次传达了巩固其在高端 DRAM 市场的领导地位的想法。
随着人工智能和大数据等尖端技术的加速发展，全球主要科技公司也在积极寻求应对快速增长的数据量的方法。
与传统动态随机存储器（DRAM）相比，高带宽缓存（HBM）在数据处理的速度和性能方面都具有显著的竞争力。
从诞生之初，它就引起了行业内的广泛关注，且近年得到了越来越多的采用。
以英伟达为例，这家 GPU 巨头于近期完成了对 SK 海力士 HBM3 样品的性能评估，预计相关产品可于今年 3 季度开始出货。
为满足客户需求，SK 海力士将遵循英伟达的新品发布时间表。在上半年扩大了 HBM3 的量产后，备受期待的 NVIDIA H100，也将为全球客户带来业内领先的高性能加速器系统。
规格方面，SK 海力士的 HBM3 有望大幅提升加速计算应用的性能表现 —— 可提供高达 819 GB/s 的缓存带宽，相当于每秒传输 163 部 @ 5GB 的全高清（FHD）电影。
SK 海力士总裁兼首席营销官 Kevin（Jongwon）Noh 表示，该公司正通过与 NVIDIA 的密切合作，以争取在高端 DRAM 市场获得一流的竞争力。
而他们的终极目标，就是成为一家通过持续开放合作，深入理解并满足客户需求的解决方案提供商。
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