根据全球晶圆产能报告显示,三星竟然一举反超台积电位列产能榜首,外界一片哗然。
不是说台积电掌握着全球半数以上的晶圆市场吗?为何会被三星挑落马下呢?
其实,台积电只是在晶圆代工市场上能够傲视群雄。但要将其放在存储芯片行业,实力确实不如三星。
而国产芯片受制于人早已是公开的“秘密”,尤其是我国在存储芯片领域高度依赖进口的情况,更是令人痛心。
中国存储芯片遭“卡脖子”
要知道,存储芯片可是集成电路市场中占比最大、应用最广泛的品类,占据了行业近三分之一的份额,规模之庞大可见一斑。
世界半导体贸易统计协会公布数据显示,到2023年中国存储芯片市场有望跨过6000亿大关。然而就在这如此关键的赛道中,中国存储芯片的自给率还不过15.7%。
其中,DRAM是使用量最大、竞争最激烈的一种存储芯片。全球市场基本上都被三星、SK海力士和美光三大巨头所垄断。三星以43.6%份额稳居第一,第二名SK海力士为27.7%,第三名美光22.8%。
光是两家韩企就独占71.3%的市场,再加上美光,总共拿走了94.1%的市场。也就是说,把所有其他存储企业的市场份额加到一起也才5.9%。
存储芯片有着如此高集中度的市场份额,中国企业难有生存的空间,想要突破哪里那么容易。
存储芯片作为技术密集与资本密集的产业,技术实力与资金实力缺一不可。这两条硬性标准给国产企业带来了不小的压力。
华为与中科院联手
不过好在华为终于出手了!而且这次还是与中科院微电子团队强强联手,共同研发3D DRAM芯片技术。
华为将在VLSI Symposium2022上发表其与中科院微电子研究所合作开发的 3D DRAM 技术,并进行各种有关内存的演示。
其实,在此之前华为就已经在存储芯片领域展开了深度研究。华为曾发布的一篇名为《华为麒麟带你一图看懂存储器》的文章,就已经显露端倪。
华为表示,随着芯片尺寸的不断缩小,DRAM工艺的微缩也将会变得越来越困难。也正因为平面DRAM的摩尔定律走向极限,各大厂商不得不加快脚步,希望能够通过3D DRAM来解决难题。
除了华为,IBM、英特尔、斯坦福大学等一众顶尖企业与知名学府,都将提出存储领域的新突破。现在比的就是看谁的发现落地快!
若是华为与中科院共同研发的3D DRAM技术能够抢先落地应用,那么,我们将有很大可能实现对三星、SK海力士和美光的弯道超车。
除了3D DRAM技术,最近这几年,在国家的大力支持下,国产存储芯片行业可以说是全面开花。
比如合肥长鑫主攻DRAM,如今已经成为大陆规模最大、技术最先进,全球排名第五的存储芯片企业。
再比如长江存储主攻NAND Flash,专注于3D NAND闪存设计制造一体化,其存储产品已经达到了全球顶尖水平。去年长江存储全球份额为4%,预计今年将达到7%左右,或将超越英特尔成为全球第六。
至于将来国产存储行业,能否因为华为的出现,以及其他国产存储芯片企业的共同努力而改变,就让我们拭目以待吧!
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