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用氟化氢-氯化氢-氯气混合物进行各向异性酸性蚀刻是一种有效的方法 单晶硅晶片纹理化的替代方法 在晶片表面形成倒金字塔结构[1，2]形貌取决于以下成分 蚀刻混合物[3]硅在HF-HCl[1]Cl2混合物中的扩散控制溶解过程通过改变流量形成各种形态 蚀刻混合物的速度[4，5]超声波辅助导致蚀刻的高速运动 晶片表面的混合物
结果
HF-HCl-Cl2溶液允许各向异性蚀刻过程，产生比氢氧化钾标准纹理反射低的随机倒金字塔，导致低反射值至6.3%的阴影效应，导致晶圆边缘到中间的形态变化，通过超声辅助化学蚀刻(USACE)纹理单晶硅晶圆在在线蚀刻过程中似乎是最可行的。
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