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本文对晶片采用HF溶液洗净的晶片氢氟酸处理后的护发素及干燥方法，使用异丙基去除上述晶片表面残存的HF的步骤，关于晶片氢氟酸处理后的护发素和干燥方法，其特点是在对上述晶片施加82-84℃温度的同时通过吹氮气去除晶片表面IPA的步骤，通过使用IPA护发素代替纯护发素，不仅可以去除杂质，而且在经过氢氟酸处理后暴露在晶片表面的疏水区域也可以充分涂布IPA。通过采用本发明的烤箱干燥方式，可以抑制干燥时局部干燥时间差所产生的水迹，比传统的IPA气相干燥方式简单，具有突破性地降低成本的效果。
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