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“百年英豪”100位党史人物系列之八十三
让我们一起走近
世界著名物理学家
固体物理学奠基人
半导体物理学奠基人
黄昆
黄昆院士1919年9月出生于北京，1941年毕业于燕京大学物理系。1945年赴英国留学，1948年获英国布里斯托（Bristol）大学哲学博士学位，1949—1951年在英国利物浦大学理论物理系任博士后研究员，1951—1977年在北京大学物理系任教授，并于1959年加入中国共产党，1977—1983年任中国科学院半导体研究所所长，1983年以后，任名誉所长。1987—1991年曾任中国物理学会理事长。他先后被选为中国科学院学部委员（院士）(1955年），瑞典皇家科学院外籍院士（1980年），第三世界科学院院士（1985年）。
黄昆院士是世界著名的物理学家，他对固体物理学作出了许多开拓性的重大贡献，是我国固体物理学和半导体物理学的奠基人之一。他从理论上预言了与晶格中杂质有关的X光漫散射，以后被称为“黄散射”。这个理论在20世纪60年代获实验证实，“黄散射”已发展成为一种能直接研究固体中微观缺陷的有效手段。他的多声子跃迁理论，以“黄—里斯因子”而著称于世。他提出关于描述晶体中光学位移、宏观电场与电极化三者关系的“黄方程”和由此引伸的电磁波与晶格振动的耦合，即后来称为极化激元的重要概念。他与M.Born合著的《晶格动力学理论》一书，是一部有世界影响的经典性科学专著。他的理论对信息产业（特别是光电子产业）具有重要的现实指导意义，产生着越来越深远的影响。
半个世纪以来，他不仅对固体物理作出了重要贡献。同时，还对高等学校中普通物理、固体物理和半导体物理的教学作出了十分重要的贡献。
黄昆院士热爱祖国，热爱科技事业，辛勤开拓，奋斗不息，为创建和发展我国半导体科技事业作出重要贡献。
黄昆院士是我国半导体科技界的一代宗师，培养了一批又一批国家科技栋梁之才。
2002年为表彰黄昆院士在固体物理学领域的杰出成就和贡献，黄昆院士荣获2001年度国家最高科学技术奖。荣获1995年度何梁何利基金科学与技术成就奖。2005年7月6日，黄昆院士病逝。
来源：共产党员网
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