三星霸气官宣誓要成全球第1!发布首款3nm工艺GAA芯片:领先台积电

【8月29日讯】导语，对于台积电、三星这两家全球芯片代工巨头而言，不仅仅垄断了全球高端芯片代工制造市场，同时在领先的芯片制造工艺方面，双方竞争也是异常激烈，尤其是在最近几年时间里，台积电一直都凭借领先的芯片制造工艺以及更加稳定的芯片制造良率，力压三星，成为了全球实力最强的芯片代工巨头，在全球芯片代工市场上，台积电一举拿下了全球55%+芯片代工市场，而三星只有20%左右，不及台积电芯片代工市场份额一半，所以三星方面也一直都宣称，未来要超过台积电，成为全球第一的芯片代工巨头，一直在寻找机会的三星，终于在新一代3nm工艺支撑领域，找到了逆袭反超三星的大好机会。

根据三星方面所官宣数据显示，在全新的3nm工艺时代，三星将会启用新一代GAAFET晶体管技术，这是一种4D晶体管技术，相对于目前正在使用的FinFET晶体管技术（3D晶体管技术），虽然结构更复杂，但由于其电极功率更低，所以在芯片功耗、发热方面的情况也将会全面好转，而目前三星所生产制造的5nm工艺芯片，很多业内人士也是一致认为，就是老的FinFET晶体管技术存在漏电的情况导致，这种老旧的FinFET晶体管技术在台积电16nm工艺（三星14nm）工艺制程上正式启用至今，但如今这项3D晶体管技术已经不再适用于高端工艺芯片制造。

根据三星所公布的数据显示，全新的GAAFET晶体管技术可以让芯片面积直接减少45%，效能提升50%，而台积电方面，由于过于保守，将会继续采用老旧的FinFET晶体管技术，所以三星方面也是霸气官宣，自己的GAAFET晶体管技术的3nm芯片，已经在今年6月份成功流片（Tape Out），明年会顺利量产，在技术方面已经领先于台积电，接下来就将会巩固技术，最后取代台积电，成为全球第一的芯片代工巨头。

对此也有很多网友们认为三星这是在吹牛，因为在高端EUV极紫外光刻机数量方面，三星一直都不如台积电，所以想要在高端芯片制造技术方面，逆袭反超台积电，又谈何容易呢？

当然对于三星而言，也并不是没有机会，如果三星的3nmGAAFET芯片的整体性能表现能够超越台积电3nm的FinFET芯片，也是有机会获得更多客户青睐，当然对于三星是否在吹牛，芯片制造是否会进入到全新的GAAFET晶体管时代，确实也是让人非常期待；

最后：各位小伙伴们，你们觉得三星是否可以超越台积电，成为全球第一的芯片代工巨头呢？欢迎在评论区中留言讨论，期待你们的精彩评论！