据南韩媒体 《ETNews》 的报导,南韩存储器大厂 SK 海力士将针对 2 月份才落成的 M16 新晶圆厂,投资 8,000 亿韩元 (约人民币 45亿元) 的金额,用以设置生产设备,其中包括极紫外线 (EUV) 光刻机,预计在 2021 年底前达到每月量产 1.8 万片 12 寸晶圆的目标。
报导指出,根据南韩供应链人士的说法,SK 海力士 M16 晶圆厂预计投资 8,000 亿韩元采购包含 EUV 在内的生产设备,以期望在 2021 年第 3 季达到每月量产 8,000 片晶圆,第 4 季再增加 10,000 片晶圆的产能,而目前正在与供应商进行设备采购的时程计划。根据 SK 海力士之前在财务会议上所公布的消息指出,针对 M16 晶圆厂的量产计划,是将部分 2022 年的规划提前到 2021 年来进行,原因是在于要因应当前全球记忆体供应吃紧的情况。
SK 海力士的 M16 晶圆厂位在南韩京畿道利川市,在 2018 年 11 月动工,2021 年的 2 月份落成,是 SK 海力士旗下最新的晶圆厂,总投资金额达到 3.5 兆韩元 (约人民币200亿元)。其中,将设立 SK 海力士产线中的第一条 EUV 技术产线。因为 EUV 的光源 ArF 更短,更适合进行半导体生产过程中电路的微缩设计,如此以提高生产的芯片性能,并进一步提高生产效能。
报导进一步指出,根据市场研究及调查单位 TrendForce 的资料显示,在当前内存条供应吃紧的情况下,整体上半年 DRAM 的涨幅已经达到 20%。而且,第 3 季的合约价格还将再上涨 3%~8% 幅度的情况下,整体下半年的市况看好。因此,为因应这样的市场发展,SK 海力士积极针对 M16 晶圆厂进行产能的规划,预计 2021 年底能达到每月 1.8 万片的产能之外,还准备在 M16 厂进行第 4 代10 nm级 (1a) 制程的 DRAM 生产。目前 SK 海力士虽然已经宣称开发出第 4 代 10 奈米级制程的 DRAM,不过当前仍需要时间来提升产品生产的良率。
而 SK 海力士提造布局 M16 晶圆厂的量产计划,除因应市场的需求之外,另一原因就是抗衡对手的竞争。虽然,南韩目前市佔率领先的两家内存条大厂-三星与SK海力士都准备在 2021 年底前量产第 4 代 10 nm级制程的 DRAM。不过,排名第三的美商美光科技 (Micron) 却已经在先前的 6 月初宣布,正式出货第 4 代 10 nm制程的 LPDDR4x 记忆体。这是美光在没有采用 EUV 技术下所量产的产品,不论在推出时程及技术层次都明显领先三星与 SK 海力士的情况之下,为避免领先的竞争优势被超车,所以SK海力士将藉此来展现实力。
特别声明:以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布,本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.