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存储芯片是半导体产业的重要分支，据世界半导体贸易统计组织预估，今年全球存储芯片产值将增长31.7％，在半导体产业中增幅高居第一。这个时期，也正是中国存储芯片企业崛起的好时机，那么今天我们就来讲讲中国存储三剑客之一的长江存储。
从追赶者到业界领先水平，长江存储仅用了5年！
众所周知，三星、海力士、美光是全球三大存储芯片巨头，在DRAM和NAND两大产品线上有着绝对的话语权。而在NAND领域，中国需求全球最为强劲，根据Yole的数据，2019年中国地区NAND闪存市场销售额占全球37％，排名全球第一，其次是美国的31％。
在此情形下，作为国内攻克NAND技术的主力，于2016年成立的长江存储开始发力：2017年10月，长江存储成功设计制造出中国首款3D NAND闪存；2019年9月开始量产64层3D NAND闪存，良率已达90％；2020年4月率先发布两款128层3D NAND闪存，目前产能和产量都处于提升阶段。
从32层闪存小试牛刀，到64层闪存担纲主力，再到128层闪存致力探索，长江存储的国产闪存芯片事业已经做到了业界领先水平，但长江存储依然在追逐的路上。
据日媒报道，今年初，有消息人士表示，长江存储很有可能在2021年年中试产第一批192层3D NAND闪存芯片。不过，低调的长江存储否认了这则消息，称关于公司下一步建设计划具体情况请以官方渠道为准。
长江存储芯片月产能将达30万片，2023年有望“赶英超美”！
需要一提的是，全球存储三寡头也在加快步伐掌握下一代闪存技术。例如，2020年11月，美光就宣布开始批量生产全球首个176层3D NAND Flash；SK海力士紧随其后，宣布成功开发出176层512Gb TLC 4D NAND；另外，韩媒报道，三星将在2021年量产第七代V-NAND，但具体堆叠层数未透露。
那做个假设，如果今年长江存储出乎意外地率先试产首批192层3D NAND闪存芯片，则很有可能成为全球首家推出192层3D NAND的厂商，这也将是历史性的突破，代表着长江存储将在下一代闪存技术的较量中处于领先地位。
而打破国外企业垄断只是其次，如果长江存储192层3D NAND闪存芯片顺利量产，并且大规模上市的话，将有助于中国建立国产化芯片供应链，进而让国外企业参与其中，采购中国芯片，拿下更大的国际市场份额。
此外，长江存储的Xtacking 技术是非常先进的，这项技术可以给3D NAND带来更高的性能和存储密度。据了解，带有Xtacking 技术的标签就是真正的纯国产芯片。
去年6月，长江存储国家存储器基地项目二期已经正式开工，项目一期也于2016年底开工建设，两期项目达产后，长江存储芯片月产能将达到30万片。
对此，集邦科技DRAMeXchange研究协理陈玠玮预计，到2023年，长江存储在全球3D NAND Flash产能中的占比将提高到10.8％，届时将实现“赶英超美”，即实现对于英特尔（6.6%）和美光（10.3%）的赶超。
文 | 李泽钚 题 | 林嘉 图 | 卢文祥 审 | 李银苏
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