【嘉勤点评】群创的面板专利，通过使具有低还原能力气体的等离子体处理透明导电层，然后在透明导电层上形成绝缘层的过程，解决了金属氧化物中金属经常被还原的问题，提升了面板的穿透度。
集微网消息，面板市场上半年价量具扬，群创面板爆单，本季与第二季获利都可逾百亿元。群创指出，面板报价将因上游材料紧缺，及各类型产品相互排挤影响，可望延续涨势。
现在，多数电子装置具有一个或以上面板。至少一个透明导电层被使用在这些面板中，其通常包括透明导电氧化物，例如金属氧化物。然而，在金属氧化物中的金属经常被还原，会导致面板的穿透度下降。
为此，群创于2019年10月29日申请了一项名为“面板及其制造方法”的发明专利（申请号:201911041367.7）,申请人为群创光电股份有限公司。
图1 面板形成过程剖面图
图1为本发明提出的面板形成过程的剖面图。其中基板11可以是石英基板、晶圆、膜以及蓝宝石基板等，而其材料包括聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚丙烯、其他塑料或聚合物材料等。
栅极12形成于基板11上。栅极12的材料包括金属、其合金、金属氧化物、金属氮氧化物、或其他电极材料，栅极12具有单层结构或多层结构。在本发明中，栅极12具有双层结构，其中底层为钼层，而顶层为氮化钼层。栅极12的厚度T1为0.2至1的范围内。特定层的厚度是指沿基板的法线方向在相对平坦的区域中测量的最大厚度。
第二绝缘层13也形成于基板11上。其材料包括氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、氧化铝、树脂、聚合物、光阻或其组合。在本发明中，第二绝缘层13的材料为氮化硅，厚度T2为0.3至1的范围内。
在第二绝缘层13形成之后，半导体层15形成于第二绝缘层13上。其材料包括非晶硅、多晶硅、或金属氧化物，具有单层结构或多层结构。当半导体层15具有单层结构时，为非晶硅层或掺杂非晶硅层。而半导体层15具有双层结构时，底层151为非晶硅层，顶层152为掺杂非晶硅层。其中底层151的厚度T3为0.1至0.3的范围内，而顶层152的厚度T4为0.02至0.05的范围内。
第一电极141及第二电极142形成于半导体层15上，并与其电性连接，可制得电晶体TFT，其包括：栅极12、对应栅极12设置的半导体层15、及与半导体层15电性连接的第一电极141和第二电极142。第一电极为源极，第二电极为漏极。第一电极141及第二电极142的材料包括金属、其合金、金属氧化物、金属氮氧化物、其他电极材料、或其组合。另外，第一电极141及第二电极142具有单层结构或多层结构，厚度T5为0.2至1的范围内。
简而言之，群创的面板专利，通过使具有低还原能力气体的等离子体处理透明导电层，然后在透明导电层上形成绝缘层的过程，解决了金属氧化物中金属经常被还原的问题，提升了面板的穿透度。
群创光电是TFT-LCD面板专业制造公司，拥有专业的平面显示器研发技术团队，一直以成为世界顶尖平面显示系统供货商为经营目标与定位。展望未来，群创光电将继续深耕液晶显示屏领域，致力发展平面显示核心技术。
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