是从什么时候开始，人们意识到了芯片重要性呢？大概就是因为去年的华为事件。国人认识了芯片，知道了光刻机，而中国也走上了自主研发的道路。
几年时间打破技术壁垒
其实此前中国也曾经研发过高端芯片，只是核心的技术，一直没有办法被突破。而中科院宣布将卡脖子的清单变成了我们的科研清单之后，引起了巨大的反响。如今中国光刻机技术已经成功突破七纳米。而荷兰阿斯麦方面表示，我们研究了30年的高精尖技术，却被中国只花费几年就突破了。
中芯国际使用第DUV光刻机以及自研的n=1技术实现了七纳米芯片的制造，阿斯麦从上个世纪90年代开始就一直在不断研发光刻机，计划04年能够完成。可是到了10年才拥有最初步的原型，16年正式完成销售供货，19年生产的七纳米才开始正式商用。
这也就意味着，其研发到全面升商用用了整整30年的时间。对于我们来讲，EUV光刻机之路任重而道远，但我们还是决定先从DUV开始，也已经成长为了现在的高精度。华为事件之后，芯片自主化被提上了日程，光刻机则成为了最刻不容缓的问题，目前40纳米技术上完全实现了国产化，而12纳米以及七纳米也开始水到渠成。
本身我们就能够生产光刻机，毕竟上海微电子早前就做出了40纳米光刻机。这是因为对国安键零部件的境遇，所以这么多年来一直没有进步。如今由国家牵头就会集中全国力量对其进行攻克，本身是计划投市场193纳米光源的光刻机通过多次曝光7纳米芯片。
光刻机的原理构造
其实光刻机的原理很简单，不过照相机对于系统的整合能力也是非常高的。只有大型卫星才能够与其相比，而其中所需高端光源以及双工作台都有出来，中国的卫星人才有很多，加上各大厂家以及各大院校的力量，通过广大科技工作者不断的努力研发在几年之内就能够生产出比荷兰高端光刻机性能还要优越的存在。
但不得不提的是，在光刻机领域，我们还需要投入更多，积累更多的经验。毕竟我们现在所取得的成就比起台积电以及三星，来讲还是要差很多，而且要到达到三星以及台积电的工艺并不容易。
本身半导体制造就是一件非常辛苦的工作，要求也是非常高的，只是现在有了七纳米光刻机，我们国产高端芯片很快就能够实现自产。很快就能够打摆脱被美国卡脖子的情况。
除了光刻机以及芯片之外，我们现在要做的就是实现各个方面的去美化，实现纯国产。而在这个过程之中，人才成为了最关键的因素。任正非早就说过，在将来的竞争之中，一定是人才与人才的竞争。
中国是一个拥有14亿人口的大国，最不缺的就是人才，相信在接下来的发展之中，我国一定能够整合所有的人才资源，对于各个方面进行一定的突破，到那个时候就没有人能够在阻止我们站在国际领域的巅峰。
中国芯片未来可期，相信总有一天我们能够摆脱被别人卡脖子的命运。
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