众所周知，目前台积电是芯片制造领域的霸主，包揽了全球50%多的芯片订单，同时今年的制造工艺进入到了5nm，全球最领先。
而在台积电之后的是三星，今年也会进入5nm水平。但intel这个曾经的霸主却在芯片制造上落后了，现在还是10nn，甚至10nm都拖了很多年，至于7nm，说是说明年量产，但这还是未知数。
是英特尔技术落后了么？从制程来看，当然是落后了。但如果从整体技术来看，却也未必，intel的10nm芯片，比台积电7nm的芯片难度大，甚至技术更强。
为何这么说呢？台积电、三星的所谓制程，和英特尔的制程并不是一回事，大家的指标不一定相同，所以不能完全的从制程来看。
Intel一直坚持以每平方毫米的晶体管数量（密度）作为定义先进工艺节点的基础。在英特尔看来，10nm工艺的芯片，逻辑晶体管密度要达到100.76MTr/mm，即每平方毫米内包含超过1亿个晶体管。
而台积电的7nm芯片，晶体管密度是多少？早期7nm HPC阶段仅有60.3MTr/mm的晶体管密度，即每平方毫米内含6030万个晶体管，只有英特尔的60%。后来改良了下，（第3代锐龙处理器及Navi GPU阶段）也就91.2MTr/mm的水平。
而三星呢？10nm时晶体管密度仅有51.8MTr/mm，后来被英特尔嘲讽了好多次后，加了把油，7nm工艺总算是将MTr/mm推上101.23，等同于intel的10nm芯片了。
而在5nm上，按照台积电的官方说法，晶体管密度提高84%，能够达到171.3MTr/mm，算是一个非常大的进度，但intel的7nm工艺，晶体管密度会翻倍，预计能够达到200 MTr/mm。
所以这也是英特尔为什么工艺总落后台积电、三星的原因，因为在英特尔看来，太水的技术是不行的。不过坦白讲，技术再高，也要量产啊，intel这么慢慢悠悠，难怪AMD会靠着先进制程的名号翻了身。
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