DDR内存就快死了：HBM 3/4内存才是未来

（原标题：DDR内存就快死了：HBM 3/4内存才是未来）

这一年来有关国内公司进军内存产业的消息甚嚣尘上，紫光公司凭借原有的英飞凌、奇梦达基础在DDR3内存上已经作出了突破，小批量生产了DDR3内存，下半年还会推出更主流的DDR4内存芯片，正在努力追赶国际主流水平。

但是放眼整个内存市场，DDR5内存很快就要来了，更可怕的是未来即便是DDR5内存也很可能被更新的技术淘汰，业界已经有人提出了DDR内存将死的看法，未来需要高带宽的产品将转向HBM内存，2020年会有HBM 3内存，2024年则会有HBM 4内存，届时带宽可达8TB/s，单插槽容量可达512GB。

对于HBM内存，DIY玩家可以说也是相当熟悉了，AMD在2015年的Fury系列显卡上首次商用第一代HBM技术，超高的带宽、超低的面积占用彻底改变了当时的显卡设计，随后NVIDIA在Tesla P100上商用了HBM 2技术，不过消费级市场上使用HBM 2技术还是AMD去年的RX Vega显卡，但是因为HBM 2显存的成本太过昂贵，RX Vega上实际上使用了两组4GB HBM 2，等效位宽比第一代减少一半，尽管频率大幅提升，所以实际带宽反而低了一些。

见识过HBM的玩家对该技术肯定印象深刻，那么未来它又该如何发展呢？HPE（惠普企业级）公司的Nicolas Dube日前分享了他的一些观点，在他看来DDR内存要走到尽头了（DDR is Over），特别是一些需求高带宽的场合中。

根据他分享的一些数据，HBM 2内存将在2018年大量应用，HBM 3将在2020年左右应用，改进版的HBM 3+技术在2022年应用，2024年则会有HBM 4内存，带宽及容量也会逐级增长，比如现在的HBM 2内存，核心容量可达8Gb，通过TSV技术可以实现每个CPU支持64GB HBM2内存，每路插槽的带宽可达2TB/s，而到了HBM 4时代，每个CPU支持的容量可达512GB，带宽超过8TB/s。作为对比的话，目前AMD的EPYC处理器支持8通道DDR4内存，虽然最高容量能达到2TB，但是带宽不过150GB/s左右，与HBM内存相比就差远了。

按照他的观点，在一些需要高带宽的场合中，HBM技术无疑远胜DDR内存，所以他说的DDR内存将死在这方面是成立的，比如HPC高性能计算机行业就非常需要HBM。不过话说回来，DDR将死这个判断并不适合桌面市场，HBM技术虽然各种好，但是现在来看成本问题一时半会都没法解决.

目前能生产HBM内存的厂商只有三星、SK Hynix，美光因为有HMC技术，对HBM并不怎么热心，所以HBM降低成本的过程将是漫长的，对桌面级玩家来说DDR4很长一段时间内都不会过时，2020年左右会开始推DDR5内存，所以三五年内我们是看不到DDR内存被HBM干掉的可能的。