（原标题：碾压Intel！三星8/7/6/5/4nm工艺登场）
曾经，先进的半导体制造工艺是Intel最为自豪的地方，Intel也不止一次在公开场合高调宣称，领先的工艺是其面对竞争时的制胜法宝。
但是这几年，Intel工艺陷入了停滞不前的底部，而台积电、三星两家却衔枚疾进、你追我赶。虽然说移动SoC的工艺和高性能桌面服务器CPU不完全相同，但是Intel面对的压力可想而知。
而且，这种压力越来越大。
金坛，三星堆未来工艺路线图进行了全方位展望，8nm、7nm、6nm、5nm、4nm、还有18nm FD-SOI悉数亮相。
8LPP (8nm Low Power Plus)
EVU极紫外光刻技术应用前的最后一代，将现有技术潜力彻底挖掘干净，再结合来自10nm的基数创新，可在性能、集成密度等方面超越10LPP。
7LPP (7nm Low Power Plus)
三星将在7nm工艺上首次启用EVU极紫外光刻，与ASML合作研发，源功率最大达到250W，这也是EUV能够投入商业量产的关键里程碑，可向前大大推进摩尔定律。
三星称，EUV技术可以将三星的晶圆产能提高50％，达到每月1500片。
6LPP (6nm Low Power Plus)
在前代7LPP、EUV的基础上，应用三星独特的Smart Scaling方案，可以大大缩小芯片面积，带来超低功耗。
5LPP (5nm Low Power Plus)
FinFET立体晶体管的终极之作，并会汲取4nm工艺的部分技术。
4LPP (4nm Low Power Plus)
第一次使用全新的MBCFETTM(多桥接通道场效应晶体管)结构，基于三星特有的GAAFET(环绕栅极场效应晶体管)技术，借助Nanosheet设备克服FinFET技术的物理局限。
预计2020年投入风险性试产。
FD-SOI (Fully Depleted - Silicon on Insulator)
面向IoT物联网应用，在前代28nm FD-SOI技术的基础上，集成RF、eMRAM，打造新一代18nm FD-SOI，获得更好的功耗、性能和面积表现。
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