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（原标题：镁光：3D闪存芯片能让手机拥有更多内存容量）
摘要：近日在加州圣克拉拉举行的闪存峰会（Flash Memory Summit）上，镁光公布了他们的首款 3D NAND 闪存芯片。这种闪存芯片在不改变尺寸的情况下能提供更多的储存空间。据 PCWorld 报道，镁光这款 3D 闪存芯片的容量为 32GB，其目标市场为中高端的智能手机。该产品基于新的 UFS 2.1 标准，市面上的智能手机均未使用这种理论上更快的储存协议。镁光认为智能手机对内存容量的需求越来越高，虚拟现实应用和流媒体都将占用大量的储存空间。他们表示，在几年之内智能手机的内存容量可能会达到如今 PC 的水平，具体来说，大概在 2020 年就会触及 1TB。不过，这家公司并未透露自家用于移动设备 3D 闪存芯片的发展路线图。
与传统的 2D NAND 水平排布储存单元不同，3D NAND 使用垂直的方式排布储存单元，这种方式既能拥有更高的容量，又能让芯片间的通讯变快。
3D NAND 闪存芯片技术并非镁光独有，英特尔和三星都已经在 SSD 上应用了这种技术，相关产品的容量只会越来越大。
本文来源：cnbeta网站
责任编辑：
王晓易_NE0011
