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网易科技讯 1月18日消息，由武汉政府出资、上海晶圆代工厂中芯国际代管的武汉12吋厂新芯集成电路，原订在今年初要开始投产，但至今仍未有任何动作。行内人士指出，新厂原本要技转用日本尔必达（Elpida）技术并生产DRAM，但因DRAM价格重挫，现在策略已经有所变化，可能在中芯的主导下，改为生产NAND等闪存产品。
在中芯的牵线下，由成都市政府出资兴建的成芯集成电路，已取得了尔必达的旧8吋厂设备，并已开始投入DRAM生产。中芯原本要以同样方式，让武汉12吋厂新芯集成电路与尔必达合作，不过因该计划传出生变消息，新芯在去年底顺利装机后，至今仍未开始投片，近日则传出将改为投产NAND消息。
由于中芯方面一直无法与尔必达间有更进一步的协议，所以中芯不得不进行策略转向，将新芯的重点产品线由DRAM转向NAND，目前中芯可以使用飞索的90奈米及65奈米技术，生产及销售特定闪存产品，因此新芯转向投产NAND的方向几乎已经确定。
新芯主管近日称，由于客户群的变化，以及DRAM价格崩跌，中芯代管的武汉12吋厂的确需要重新考量要以什么产品投片，现在转向以毛利率较高的闪存是个主要方向，虽然生产的产品线有所调整，但新芯仍会在本季开始投片量产。
本文来源：网易科技报道
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王晓易_NE0011
