华微电子重视研发创新，年均研发费用超亿元

（原标题：华微电子重视研发创新，年均研发费用超亿元）

在国内功率半导体器件领域，华微电子一直占据着“领头羊”的位置。作为国内首家功率半导体器件领域上市公司，华微电子一路走来，一直脚踏实地、勤勤恳恳，通过半个多世纪的不懈努力，如今，华微电子总资产早已突破60亿大关，员工2000余人。华微电子还被认定为国家博士后科研工作站、国家创新型企业、国家企业技术中心、CNAS国家认可实验室，已经发展成为全国最具影响力的半导体IDM企业之一、我国功率半导体器件行业中的领军企业。

关于企业创新发展，华微电子相关负责人表示：“公司一直非常重视研发创新，目前年均研发费用已投资过亿元，研发支出占销售额的6%。”

据了解，华微电子成立于20世纪60年代初，公司前身是吉林市半导体厂。想起建厂初期的峥嵘岁月，华微电子党委书记王桂莲感慨良多：“当时，吉林市为了建半导体厂，把吉林市表厂迁走了，老楼没有进行装修。因为生产对洁净度要求较高，我们就在两个楼后面的一个澡堂子里成功试制出硅整流二极管。”而硅整流二极管的成功试制，成功填补了吉林省晶体管生产的空白。

之后经过多年的努力，华微电子于2001年3月16日正式登陆上海证券交易所，成为了国内首家功率半导体器件领域的上市公司。

为了让企业保持核心竞争力，华微电子还通过自主创新、产学研合作、引进消化吸收等多种形式使产品技术不断升级迭代，以技术创新引领形成企业独特的核心竞争力。华微电子相关人员表示：“公司目前共有专利百余项，广泛应用于各系列产品设计开发及生产中，产品的部分性能已经优于国外公司的同类产品，达到了国内领先水平。”

近年来，华微电子又通过积极引进先进技术与标准，广泛开展产学研等技术交流与合作，建立技术研发与技术标准相结合的管理机制，注重先进技术的运用、消化和吸收，逐步在FRD、IGBT、SBDVD-MOS等产品开发中推广运用，公司的技术实力也得到显著提升。其中1350VTrenchIG-BT项目成功攻克深槽刻蚀与填充、高均匀性多晶回刻与刻蚀工艺、Ti/Tin淀积与RTP退火工艺等难题。TrenchIG-BT工艺平台的开发成功，让华微电子在功率器件研制开发方面的表现更加全面。

不仅如此，在新能源汽车双面散热模块，华微电子也实现了功率模块双面散热超薄结构，缩小模块体积，提高模块功率密度和效率，降低功率损耗，适应未来电控系统轻量化要求，产品技术将达到同等国际标杆水平。同时公司开发高压3300V～4500V的IGBT和FRD产品也实现了超高压大功率器件的国产化。