电子元器件：3D NAND存储器研发重大突破

（原标题：电子元器件：3D NAND存储器研发重大突破）

近期，根据中科院微电子所的官网消息，由长江存储和中科院微电子所三维存储器研发中心联合研发的32层3DNANDFlash芯片顺利通过电学特性等各项指标测试，完成工艺器件和电路设计的整套技术验证。

分析与判断

3D NAND Flash存储器研发取得重要进展，为产业化打下坚实基础

1、从技术角度看，3DNANDFlash存储器产业化面临如下挑战：制造工艺开发（高深刻比刻蚀工艺等）、存储器件单元结构设计、存储器件单元集成、可靠性、NAND阵列架构、存储芯片电路设计等。3DNANDFlash的每个技术挑战都需要投入大量的研发力量去攻克。国内目前已完成工艺器件和电路设计的整套技术方案。

2、我们认为，国内在3DNANDFlash领域取得里程碑式进展，将为下一步的产业化铺平道路，有望缩小与国外同行的技术差距。

？3DNANDFlash属于存储器领域的前沿技术，是存储器的最佳候选方案1、从技术分类看，存储器分为DRAM、NANDFlash、NORflash。全球DRAM和NANDFlash总产值约为存储器总产值的95%。NANDFlash主要分为2DNAND和3DNAND，2DNANDFlash、DRAM技术相对成熟，3DNANDFlash属于半导体存储器前沿领域。三星于2014年率先在全球推出量产的32层

V-NAND闪存，美光于2016年推出32层3DNAND闪存（全球第二家实现3DNAND闪存量产）。国内相对国外技术差距最小的存储器产品是3DNANDFlash。2、我们认为，3DNANDFlash相比2DNAND，在性能、容量、可靠性、成本方面拥有竞争优势，将成为存储器的主流技术。

3D NAND FLash存储器是国内存储器产业崛起的捷径

1、存储器是半导体产业的核心器件，其全球产值约为800亿美元，DRAM市场约为450亿美元，NANDFlash约为300亿美元。2016年，DRAM大部分市场份额被三星、海力士、美光占据，三星、东芝/西数、美光、海力士垄断了NANDFlash市场。中国是全球最大的电子产品生产基地和集散地，占据了全球存储器市场55%的市场份额。

2、我们认为，由于国外竞争对手在DRAM和2DNAND方面拥有大量折旧完的产能，并且DRAM市场增长放缓，所以从技术成熟度、成本角度考虑，3DNANDFlash存储器是国内存储器产业快速发展的捷径。

投资建议

3DNAND存储器研发取得重大突破，有望加速国内存储器产业发展，利好A股相关半导体存储器、材料以及设备标的。重点推荐：兆易创新、深科技、上海新阳、七星电子、太极实业。