（原标题：Intel火力全开 2017年发力3D NAND闪存）
受益于智能手机搭载的NAND Flash存储容量持续提升，以及PC、服务器、资料中心积极导入固态硬盘(SSD)，NAND Flash需求正快速成长，各家存储器厂亦由2D NAND Flash加速转进3D NAND Flash世代。其中，英特尔(Intel)2017年3D NAND Flash新品将全面放量，分头抢食资料中心、专业、消费性与嵌入式市场大饼，迎战三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、东芝(Toshiba)与近年崛起的大陆业者。
由于2D NAND Flash架构面临技术推进瓶颈，芯片容量难再提升，使得存储器大厂2016年起明显扩大3D NAND Flash投资，2D NAND Flash产能因此快速下滑，加上智能型手机、资料中心等SSD需求扬升，使得整体NAND Flash出现供不应求情况。
看好3D NAND Flash即将成为市场主流，2017年3D NAND商机将喷发，三星、东芝、SK Hynix、美光与英特尔等大厂纷扩大3D NAND投资力道，寻求技术与产能进一步突破。值得注意的是，不让三星在3D NAND技术世代抢占先机，英特尔已拟定2017年3D NAND Flash战略，在制程技术与产能持续推进下，预计自2017年2月起针对资料中心、专业、消费性与嵌入式市场，将发布多款3D NAND TLC新品。
据英特尔最新规划，采用PCIe接口的SSD资料中心产品线，继2016年推出DC D3700系列与DC D3600系列NVMe SSD后，预计2017年第3季将推出存储容量大幅拉升的顶级版本，采用2.5寸硬盘尺寸、U.2接口，存储容量有2、4、8TB，而在2017年2~3月将会有DC P4500/P4600/ P4600 LP/4500 LP系列正式量产，产品生命周期至2019年首季为止，而SATA接口的SSD资料中心产品阵容，则在第2季会新增DC S4600/S4500与入门级DC S3110系列等。
而针对专业市场，英特尔将在2017年第4季推出PCIe/NVMe接口的Pro 7600p与SATA接口的Pro 5450s；消费市场方面，继2016年9月推出高性价比的600p后，2017年第3季会推出600p BGA版本，以及SATA接口的545s。
另于嵌入式市场，预计最快2017年4月与7月会分别量产5430S系列与M.2版本，第3季还有20nm MLC的E 6500p。此外，包括E 5400s/5410系列将会在2018年首季停止供货，E 6000p则是在2018年第3季停止供货。
随著3D NAND Flash技术竞逐已成为存储器产业主战场，英特尔除产能将全面开出，同时也投入开发全新基于3D XPoint技术的Optane SSD，工程样本于第3季已交予客户，预计2017年第2季起进入量产，可应用在高阶服务器与PC产品，将是英特尔力战三星、东芝与SK Hynix的重要产品，而其最受关注的客户为苹果(Apple)，预计2017年下半所推出的MacBook Pro将会采用英特尔Optane SSD。
目前英特尔非挥发性存储器解决方案事业群仍处于亏损状态，然随著3D NAND Flash技术成为主流，且3D XPoint存储器将于2017年上半登场，可望进一步带动英特尔获利成长，2017年由亏转盈。
本文来源：中关村在线
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王晓易_NE0011
