（原标题：骁龙835来袭 加速明年10nm旗舰芯大战）
【手机中国 新闻】上周移动芯片大户Qualcomm抢在CES之前，正式发布了新一代旗舰芯骁龙835，而不是之前传闻的骁龙830，震惊了业界，该芯片采用三星领先的10纳米工艺，实现性能提升27%或高达40%的功耗降低，支持Quick Charge 4快充技术，以及Type-C和USB-PD。
Qualcomm竞争对手联发科则于今年9月正式发布了采用台积电10纳米工艺的Helio X30旗舰芯片，它依然为三丛集十核架构，包括两个2.8GHz的Cortex-A73高性能核心，以及四个2.2GHz Cortex-A53以及四个2.0GHzCortex-A35低功耗核心，与前代Helio X20旗舰芯相比，其效能提升43%，功耗可节省58%。
据台媒报道，Helio X30已于四季度进入量产投片阶段，联发科期望依靠台积电在晶圆代工市场的技术领先优势，用Helio X30来对抗骁龙835。 Helio X30预计明年一季度可量产出货，它支持Cat 10网络。值得注意的是，联发科明年上半年还将推出支持Cat 12 10纳米的Helio X35来抢市。
另外，依靠自家海思麒麟芯，华为在高端手机市场也是玩得风生水起，尽管当前的麒麟960仅采用16nm制程，不过华为旗下的海思半导体也在加快10纳米技术研发，业界预计明年上半年首款采用台积电10nm工艺的麒麟970也会跟的大家见面，在网络方面它会率先支持Cat 12，也是全球全模芯片。
从以往经验来看，搭载骁龙835的终端可能会在CES2017大会上亮相，这意味着明年上半年，新一轮旗舰芯片大战将上演，谁能成为最大赢家，让我们拭目以待。
本文来源：手机中国
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王晓易_NE0011
