（原标题：SK海力士：10nm级DRAM明年上半年投产）
据韩国经济报导，SK海力士(SK Hynix)以21nm制程生产的DRAM为目前获利性高的主力产品，2016年底生产比重将达全部DRAM的40%；10nm级DRAM规划在2017年上半投产。NAND Flash领域将目标订在2017年下半投产72层3D NAND Flash，持续扩大3D NAND的生产比重。
SK海力士DRAM技术本部长金进国(音译)表示，IT产业对大容量、低耗电、存取速度快的DRAM需求渐增，2016年以来市场需求开始由DDR3、LPDDR3转移到DDR4、LPDDR4，尤其是智能型手机内嵌LPDDR 4容量向4GB/6GB提升，公司以21nm技术量产的DRAM满足市场需求变化。
金进国进一步表示，SK海力士启动21nm DRAM量产的时间比竞争同业略晚，但由于启用新制程会带来许多不确定性，因此不得不谨慎看待。经由反复测试所累积的经验也可视为公司的无形资产，有助于从事更先进制程研发。目前预估2016年底可完成10nm级DRAM研发，计划在2017年上半投产。
SK海力士NAND研发本部3D技术负责人金基硕(音译)表示，NAND Flash市场的成长速度比DRAM市场还快，2016年第3季NAND Flash事业成功取得盈余，若持续提高3D NAND Flash的产品竞争力，未来应可稳定维持获利。
金基硕表示，截至第3季为止3D NAND Flash在整体NAND Flash的生产比重还不到10%，公司计划在维持2D产品的获利性下，同时提高3D产品的生产比重，目标2016年底前提升到15%左右。SK 海力士将在2017年上半应可完成72层3D NAND Flash研发，M14工厂也将在2017年投入生产，有助于3D NAND产品的生产比重进一步扩大。
本文来源：中关村在线
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王晓易_NE0011
