（原标题：华米手表现FD-SOI器件 工艺转向终端）
因为没有可见的终端产品能证明其号称超低功耗的特色，全耗尽绝缘硅(fully Depleted Silicon On Insulator，FD-SOI)工艺一直得努力克服半导体产业界许多工程师的质疑，例如：该技术的好处在哪？在商业市场上有实际产品吗？它真正的优势何在？
终于，现在有实际产品可以做为FD-SOI工艺的实证──是一只中国智能手机品牌业者小米(Xiaomi)产业链品牌华米(Huami)新推出的智能手表Amazfit，内建了日本大厂索尼(Sony)以28纳米FD-SOI工艺生产的GPS芯片。
Amazfit定价120美元，配备了一系列运动追踪传感器以及蓝牙低功耗4.0芯片、Wi-Fi无线芯片、GPS芯片、心律传感器以及NFC；该款智能手表的独特之处在于较长的电池寿命，据华米表示，它能五天充电一次、或是开启GPS功能35小时。
这是Sony的一场胜利，对FD-SOI支持者来说甚至是更大的胜利；华米的智能手表证明了该技术号称超低功耗的特性。
法国晶圆业者Soitec首席执行官Paul Boudre在接受EE Times访问时表示：“去年产业界对FD-SOI的讨论集中在该技术与另一种工艺技术FinFET之间的竞争；”而在今年，业界对FD-SOI的讨论终于从理论性的工艺技术比较，转移到由产品与应用所决定的技术竞争。他指出，衡量FD-SOI的标准在于该技术能为终端产品带来的价值，也就是它实际的能源使用效益。
Sony是在2015年1月于日本东京举行的SOI产业联盟会议上，发表以28纳米FD-SOI工艺技术制造的新一代全球卫星导航系统(GNSS)芯片；接着在今年初举行的国际固态电路会议(ISSCC)上，Sony的工程师团队发表了一篇关于28纳米FD-SOI工艺GNSS接收器的技术论文。
该篇Sony论文作者指出，GNSS是传感处理器的基础，至于该功能为何如此难以内建于可穿戴系统，是因为目前的GNSS接收器耗电量约10mW：“GNSS接收器的低噪声RF需要高供应电压，带来非常高的耗电。”
Sony的设计工程师是透过有效利用FD-SOI工艺开发出的0.7V射频(RF)电路实现其技术突破；在上个月，Sony也参加了在中国上海举行的FD-SOI论坛，探讨该公司的FD-SOI工艺GNSS接收器最终成品。
随着Sony完成了FD-SOI工艺的GPS/GNSS芯片RF与逻辑电路设计，该公司将持续追踪位置的RF功耗，从6.3mW (前一代芯片)大幅降低至1.5mW。
本文来源：中关村在线
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王晓易_NE0011
