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（原标题：IBM公布3bit PCM存储芯片 1000万次寿命）
日前在巴黎举行的IEEE国际存储工作组会议上，蓝色巨人IBM苏黎世研究中心的科学家公布了新的存储芯片成果，他们在64K单元阵列上首次实现每单元3bit数据存储，而且在极高温度及100万次可靠性循环之后依然能保持数据可靠。
PCM存储芯片的研发工作始于上世纪60年代，不过一直没有商业化，主要原因是产品的存储密度和存储成本无法商业化，IBM此次公布的3bit PCM存储方案，可以在原有1bit的单元存储格中存储3bit的数据，存储密度得到显著提升。
同时产品相对于传统的NAND闪存，IBM研发的3bit PCM可以经受住1000万次的数据写入，远高于TLC NAND甚至是SLC NAND产品，二关键的存储速率方面，3bit PCM也非常出色，是NAND闪存的50多倍。
PCM：（Phase-change memory，相变内存），是一种非易失性存储器装置。PRAM使用含一种或多种硫族化物的玻璃（Chalcogenide glass）制成。硫族化物玻璃的特性是，经加热可以改变它的状态，成为晶体（Crystalline）或非晶体（Amorphous）。这些不同状态具有相应的电阻值。因此PRAM可以用来存储不同的数值。 它是可能取代快闪存储器的技术之一。
本文来源：中关村在线
责任编辑：
王晓易_NE0011
