（原标题：三星称霸全球NAND闪存业 UFS 2.0功不可没）
说到半导体储存芯片，全球 NAND 闪存的出货量仅次于 DRAM 内存，而且因为移动设备时代的到来，NAND 的全球出货量开始变得越来越夸张。不过，尽管该技术由日本东芝在八十年代末开始引入，目前正大放异彩，但是韩国三星正推陈出新，以自家的标准来征服 NAND 的出货量市场。
根据集邦 TrendForce 旗下存储业务研究部门 DRAMeXchange 的最新统计数字显示，2015 年第四季度（10 月至 12 月）三星在半导体储存芯片设计的表现相当可喜可贺。三星以 33.6% 的市场份额成为世界上规模最大的 NAND 储存供应商。而排在第二名的的是东芝，所占市场份额为 18.6%。
很显然，三星的目前的 NAND 储存芯片设计份额很快相当于东芝的两倍，最主要的原因在于三星正不断壮大。有关 2015 年第三季度 DRAMeXchange 数据显示，三星与东芝之间的差距才 10 个百分点左右，其中三星在全球 NAND 市场 的份额为 31.5%，东芝为 20.5%，如今东芝份额缩减反而三星上市，说明差距争议迅猛的速度扩大。
不过，由于移动市场逐渐趋于饱和，整体 NAND 闪存市场全线出现季度性的下滑，但三星的 NAND 业务始终能够成功在智能手机领域保持盈利，令业界相当刮目相看，因为只有为数不多的厂商实现增长。据数据，三星 2015 年第四季度营收环比增长了 4.2%， 除此之外仅闪迪增长了 0.1%，其余营收均出现负增长。
NAND 市场整体营收环比衰退了 2.3%，东芝跌幅最大，达到 11.3%，其实是下滑 9.3% 的 SK 海力士。不出意外的话，随着全新智能手机 Galaxy S7 和 S7 Edge 陆续出货上市，三星的 NAND 删除业务仍会持续走强。
目前三星正力推最新基于 UFS 应用接口标准规格的 NAND 嵌入式闪存储存，最近刚刚发布了第二版 UFS 2.0 嵌入式闪存。根据三星的解释，新 UFS 闪存储存的容量提升了一倍达到 256GB，并且体积更小，比传统 NAND 闪存节省了约 50% 的储存空间，三星表示其比外部 micro SD 卡更小。
更重要的是，得益于常用语 SSD 储存的“命令队列(Command Queue)”技术，即通过串行接口技术加速命令执行，其数据处理速度大幅提升，第二版的 UFS 2.0 闪存的持续读取速度已经提升到了惊人的 850MB/s，这方面已经完全超越了传统 SATA 接口的固态硬盘。
另外在写入速度方面，三星第二版 UFS 2.0 256GB 闪存的持续写入速度也达到了 260MB/S，这个速度相当于普通外置 microSD 卡大约三倍，同时随机读取和写入读/写操作 IOPS 上升到了 45000 和 40000。
三星表示，目前众多制造商的智能手机和平板电脑产品都已经采用了基于 USB 3.0 接口标准来设计，若搭配第二版 UFS 2.0 闪存的话，可以在 12 秒钟内完成一部 5GB 容量大小的视频，未来在移动设备上轻松观看真 4K Ultra HD 超高清电视和视频不是问题，而且还可以同时处理其他多任务。
本文来源：cnbeta网站
责任编辑：
王晓易_NE0011
