北京
【CNMO科技消息】11月13日，据外媒报道，日本铠侠与美国闪迪计划到2032年累计投入5万亿日元（约合人民币2084亿元），用于扩大NAND闪存生产能力，投资将集中在日本岩手县北上工厂和三重县四日市工厂，其中包括北上工厂第三生产厂房的建设。按照双方约6:4的投资比例计算，铠侠预计承担约3万亿日元，未来六年平均每年投入约5000亿日元。
铠侠
这一投资规模并未明显超出铠侠此前的资本支出计划。铠侠原计划在2026财年投入4500亿日元用于设备投资，截至2028财年的三年平均投资额约为每年4700亿日元。此次公布的5万亿日元计划，更多是明确未来六年的投资方向，而非突然大幅提高扩产速度。
闪迪产品
TrendForce数据显示，2026年第二季度全球NAND闪存市场中，三星电子以29.3%的营收份额排名第一，SK海力士和美光分别以18.2%和15.1%位列第二、第三。铠侠和闪迪分别占据13.6%和11.4%，合计约25%。对比2016年第二季度，当时东芝与西部数据的合计份额达到36%，十年间两家企业的市场份额下降了约11个百分点。
竞争对手正在扩大投资。三星电子和SK海力士均计划投入400万亿韩元建设半导体工厂，中国长江存储的母公司也已于今年8月提交IPO申请。
铠侠此前已经经历过一次扩产带来的市场风险。2021财年，公司宣布在北上和四日市工厂建设新厂房，但2022财年NAND市场行情转弱，最终导致公司出现亏损。存储芯片行业具有明显的周期性，需求旺盛时扩产容易带来收益，一旦供给超过需求，价格下跌也会迅速侵蚀利润。当前AI数据中心需求虽然持续增长，但铠侠仍需要防范新一轮行业周期反转。
铠侠目前更倾向于通过技术升级提高产品附加值。公司正在开发支持CXL标准的存储模块，希望让NAND闪存承担部分原本由DRAM负责的工作，同时加大面向AI数据中心的SSD布局。与英伟达加强合作，也是其争取AI存储市场的重要方向。
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