北京
11月10日，佳能在日本东京宣布，将于2026年12月上旬发售面向存储和逻辑芯片的KrF（氟化氪）扫描式半导体光刻机“FPA-6400ES6a”。这款设备给出的两个核心参数是：每小时400片晶圆的产能，以及4.0nm的套刻精度。
产能提升来自硬件层面的改动。佳能为新机开发了超高加速度载台，通过缩短驱动时间把每小时处理量推到400片。高速驱动会带来位置控制难题，对应的解法是震动抑制技术，让载台在高速运动中仍能保持稳定的高精度定位。
精度一侧则靠环境控制兜底。设备采用降低机内气流不均匀、使激光光路温度均一化的空调控制技术，官方称由此实现了业界高水平的4.0nm套刻精度。产能与精度这两项指标，在这台机器上是被放在同一套载台与温控体系里解决的。
对准环节新增了可选配项。佳能独有的图像对准系统中加入新光源“Hi-ALS（High Alignment Light Source）”，可根据材料和工艺任意选择合适的对准测量波长，从而在各种半导体制造工艺中实现高精度对准，提高工艺稳定性。
针对翘曲晶圆，设备可在曝光前测量各种工艺中产生的晶圆翘曲量，并通过调整载台上的吸气流量增强吸附能力，改善曝光时的翘曲状态。可对应的翘曲量由此扩大到700μm，强化了对三维器件堆叠及晶圆键合工艺中翘曲问题的应对能力。
电力侧同样有动作。新开发的电力控制技术把载台减速时产生的再生电力储存进电容器，加速时再加以利用；配合支持超高加速度载台的高效率电源，在保证高响应性的同时降低电力损耗、简化冷却机构。按官方说法，这些技术降低了每片晶圆曝光所需的耗电量，兼顾环境保护。
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