北京
国家知识产权局信息显示，国科光芯金杏（北京）实验室科技有限公司申请一项名为“异质集成光电子芯片及其制备方法”的专利，公开号CN123010276A，申请日期为2026年8月。
专利摘要显示，本发明涉及光电子集成技术领域，公开了异质集成光电子芯片及其制备方法。方法包括：在基底层的一侧表面形成铌酸锂结构层，包括铌酸锂波导和第一包层；在铌酸锂结构层上形成氮化硅结构层，包括氮化硅波导和第二包层，氮化硅波导在基底层上的投影位于铌酸锂波导在基底层的投影内；氮化硅波导和铌酸锂波导形成复合波导结构；在氮化硅结构层上形成硅基结构层，包括多种硅基单元以及第三包层，包括锗硅探测单元和硅基调制单元；形成电极结构，电极结构包括连接锗硅探测单元的第一电极、连接硅基调制单元的第二电极、以及对应复合波导结构的第三电极。这种在先形成铌酸锂波导、在后形成锗硅探测单元和硅基调制单元的设计，有效提升集成度和器件性能。
天眼查资料显示，国科光芯金杏（北京）实验室科技有限公司，成立于2021年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，国科光芯金杏（北京）实验室科技有限公司参与招投标项目1次，专利信息64条，此外企业还拥有行政许可2个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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