前沿导读
《日经亚洲》此前披露过一份数据,多年前一片主流6英寸碳化硅晶圆被美国供应商卖到1500美元,但是如今中国供应商的价格只有每片500美元甚至更低。
当德国X-Fab的销售总监公开承认“中国报价远低于我们的材料成本”时,全球功率半导体的市场格局已经发生了根本转变。
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产品价差
能将国外的产品价格打下来,有三个因素。
第一是电价,碳化硅长晶炉要在高温下连续运转10到15天,耗电量惊人。
中国工业电价大约0.08到0.12美元一度,海外是0.25到0.35美元。同样烧一炉晶体,中国企业的电费只有海外同行的三分之一。这不是短期补贴能抹平的差距,而是基础设施禀赋决定的长期优势。
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第二是制造设备,国产碳化硅长晶炉的价格更具优势,设备成本平摊到每片晶圆上差距立刻拉开。而更为关键的是,国产设备意味着迭代节奏掌握在自己手里,不用等海外厂商的排期和响应。
第三是对于产业的扶持,在我国十五五规划草案中,碳化硅已经被定义为未来半导体产业的核心材料,也是我国大力推动的产业市场。
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碳化硅具有耐高压、耐高温、高频高效的技术特性,可以支撑汽车、通信、能源等多个工业领域的持续发展。随着AI产业以及高效率通信技术的发展,高稳定性的半导体材料是下一个技术时代的底层资源,其重要性不言而喻。
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生活中最简单、最直观的例子,就是与碳化硅同属于第三代半导体材料的氮化镓。
之前手机、平板所用的充电器都是很基础的硅基充电器,但是随着氮化镓技术的发展,高功率的快充技术也随之而来。
氮化镓充电器不但具备高效率的能源转换,而且其发热控制、体积重量也更有优势,并且支持多个设备同时以较高的功率进行充电,还兼容主流的快充协议。
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如今一个65W功率以上的多口氮化镓充电器,就可以满足手机、平板、手表、耳机甚至是低功耗轻薄办公本的供电需求。
对于那些经常出差的消费者来说,一个高品质的氮化镓充电器足以替代大量低端的普通充电器,不再需要携带多个充电头出门,这一切的便利条件都是建立在氮化镓材料的大规模应用上。
规模应用
对于6英寸的碳化硅材料来说,在28nm及以上成熟制程的功率器件里,成本优势极其明显。
纯电汽车的控制器、光伏逆变器、工业电源,这些领域要的不是最先进的制程,而是稳定、便宜、能大规模量产。中国企业恰恰在这个区间,把产品材料的良品率和成本同时做到了非常均衡的水平。
美国领先的碳化硅制造供应商是Wolfspeed(狼速)公司,该公司在2018年占据了全球超62%的碳化硅供应。但是在2025年,该公司宣告破产重组。
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除去客户需求缩水之外,造成该公司重组的另一大原因就是来自于中国的竞争对手强势崛起。
天岳先进、天科合达等国产碳化硅供应商加速布局技术市场,互相竞争并压低碳化硅晶圆价格,仅2024年这一年,碳化硅晶圆价格下降超20%。
2025年,我国在6英寸碳化硅沉底、8英寸碳化硅沉底,以及整体碳化硅沉底的全球市占率上登顶第一。天岳先进公司更是在8英寸碳化硅领域的全球市占率突破50%,成功将美国碳化硅龙头狼速公司挤了下去。
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并且我国的半导体产业无论是先进制程还是成熟制程,都形成了一种“集中攻关”的姿态。
我国在2017年成立了中国集成电路设计创新联盟,该联盟整合了中芯国际、华虹、长江存储、中微半导体等供应链企业,将国产设备的验证周期进行压缩,相关专利进行交叉授权,避免重复研发所造成资源浪费。
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这套方法是把“企业各自为战”变成“产业链协同攻关”,有点类似于当年美国部门联合英特尔搞的EUV LLC技术联盟。
但是中国半导体产业的做法更下沉,不只是在EUV这个尖端技术上,在成熟制程产业上先把国产化率提升起来,用产线验证倒逼设备迭代。
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验证周期缩短,意味着设备厂商拿到反馈的速度更快,迭代节奏也会加快,技术追赶的速度也会同步提升。
中国企业压低产品售价,只是一个单纯的结果,真正的产业竞争发生在能源成本结构、设备自主迭代能力、产业链协同效率这三个层面。这三样东西加在一起,构成了一种海外企业很难复制的系统能力。
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