北京
国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“eflash版图的光学邻近修正方法、存储介质及终端”的专利，公开号CN122945340A，申请日期为2026年9月。
专利摘要显示，一种eflash版图的光学邻近修正方法、存储介质及终端，其中方法包括：划分出eflash版图中的逻辑区域和存储阵列区域；采用光学邻近修正模型对逻辑区域的图形进行修正处理，获取逻辑修正版图；采用支持向量回归模型对存储阵列区域的图形进行修正处理，获取存储阵列修正版图；将逻辑修正版图和存储阵列修正版图进行拼接，形成修正版图。通过将eflash版图划分为逻辑区域和存储阵列区域，并对逻辑区域和存储阵列区域进行差异化的修正。支持向量回归模型可精准预测特征尺寸偏差、线尾缩短与拐角圆化误差，因此能够很好的适用存储阵列区域复杂图形分布的修正。而逻辑区域可以直接套用同节点逻辑版图的光学邻近修正模型进行修正，兼顾效率与精度。
天眼查资料显示，浙江创芯集成电路有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本214766.6666万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江创芯集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目297次，财产线索方面有商标信息21条，专利信息741条，此外企业还拥有行政许可7个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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