北京
10月20日，长鑫科技继续回调，盘中跌近4%，股价跌破40元，最低探至39.84元，接近上市以来的低点，市值退守2.7万亿元。
值得注意的是，长鑫科技以8.66元发行价登陆A股，上市首日大涨466%，随后最高上涨至61.80元，市值最高约4.2万亿。但8月18日起，开始盘整回落，目前累计跌幅超35%，市值较高点蒸发约1.5万亿。
同期，全球存储巨头遭遇估值杀，以SK海力士和三星电子为例，今日SK海力士大跌超5%，自高点以来累计跌幅超59%；三星电子也大跌近4%，自高点以来累计跌幅约44%。
近期，长鑫4F² 新架构和大规模扩产计划叠加释放，引发了全球存储巨头的剧烈震荡，随着长鑫募资项目的加速落地，机构预测2026年底月产能约29-35万片，2028年底月产能有望达到51.3万片，两年增幅77%，增速显著高于三星和SK 海力士。目前长鑫科技全球份额已经接近 10%，坐稳全球第四大DRAM厂商，打破过去三星、SK 海力士、美光三家垄断的格局。
此外，长鑫4F²架构取得关键进展，计划2026年底推出基于该架构的服务器DDR5 RDIMM。相比当前主流6F²架构，同等硅片面积下存储密度大幅提升，在光刻受限的条件下，实现有效位元密度追赶，不再单纯依靠先进制程堆性能，动摇海外巨头长期的技术代差溢价。
对于海外巨头而言，最大的冲击来自DRAM定价权不再由三家说了算，字节、腾讯等国内服务器大厂已经与长鑫签订长期大额采购订单，海外厂商定价逻辑松动，无法再随意涨价。
消息面上，股价大跌之下，长鑫科技近日释放多重积极信号。根据业绩预告，长鑫科技预计2026年前三季度营业收入2650亿元至2700亿元，归母净利润1310亿元至1325亿元，同比扭亏为盈。董事长朱一明提议以10亿元至20亿元回购公司股份。公司在临时股东会上表示，合肥、北京两地晶圆厂持续保持高产能利用率运转，订单饱满，并对DRAM行业长期发展保持充足信心；技术端已完成从第一代到第五代工艺平台迭代，产品覆盖LPDDR4X至LPDDR6，并在4F²等先进技术架构上取得关键进展。
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