北京
据财联社及《首尔经济日报》报道，三星电子将采用台积电的3纳米工艺为英伟达的下一代定制高带宽内存（HBM）生产基础芯片，这将是三星首次与台积电在HBM制造阶段展开合作。
据悉，英伟达已要求三星、SK海力士和美光科技采用台积电的工艺制造NVHBM基础芯片，并采用第六代DRAM技术制造核心芯片。三星据悉在内部审查后接受了英伟达的要求，但计划保留其内部生产模式，用于生产标准HBM和为其他客户定制的产品。
英伟达8月发布的NVHBM将英伟达的定制内存控制器集成到基础芯片中，旨在实现多个内存供应商之间的标准化实施。
01
三星为何愿意与台积电合作？
三星在开发HBM核心芯片和基片时通常采用“交钥匙（Turn-key）”模式，即HBM从设计到封装均由单一供应商闭环完成。无需客户分别协调存储厂、逻辑代工和封装厂。而SK海力士则选择专业分工模式，将HBM4的基片交给台积电代工。
此次合作则意味着，三星可能针对英伟达的定制化需求调整既有策略：存储核心芯片仍由三星生产，基础芯片则按照英伟达的要求采用台积电3纳米工艺制造。这并不意味着三星将全面放弃HBM内部制造。从产业分工看，这更像是三星针对特定客户、特定产品作出的调整，而不是对原有制造模式的全面转向。
02
英伟达为何要统一基础芯片工艺？
传统HBM由多层DRAM存储芯片堆叠而成，底部的基础芯片则负责相关逻辑功能和信号控制。随着HBM向更高性能演进，基础芯片的重要性也在上升。英伟达推出的NVHBM，核心变化之一是将定制内存控制器集成到HBM基础芯片中，而不是完全沿用传统方案，将相关控制功能放在GPU等计算芯片上。这样既有助于优化内存与计算芯片之间的数据传输，也能为计算芯片释放更多空间。
根据英伟达公布的产品信息，NVHBM相较标准HBM4E，目标是实现最高30%的内存带宽提升和15%的功耗降低。上述数据属于英伟达公布的性能指标，实际表现仍取决于具体产品设计和应用场景。但要实现定制化设计的优势，仅靠存储厂商各自改进技术还不够。不同供应商如果采用不同的基础芯片工艺和设计方案，产品验证、系统适配及后续量产都可能面临额外的工作。据报道，英伟达希望统一NVHBM基础芯片的制造工艺，并采用第六代DRAM工艺生产核心芯片，以减少不同供应商产品之间的差异，简化验证流程。
对英伟达而言，统一的目的不只是提高内存性能，更是让不同存储供应商能够围绕相对一致的技术方案开展生产与协作。
03
HBM竞争进入供应链协同阶段
过去，HBM厂商的竞争重点主要集中在存储密度、传输速度、堆叠技术、良率和量产能力等方面。随着AI加速器的系统设计日益复杂，基础芯片的逻辑功能、先进制程能力以及与计算芯片的协同设计，正成为新的竞争因素。
台积电在先进逻辑制程领域的优势，使其有机会进一步参与定制HBM的制造环节；三星、SK海力士和美光则能够继续发挥自身在DRAM设计、制造和HBM集成方面的能力。这也意味着，未来HBM产业链未必完全由单一厂商包揽所有环节。存储厂商可能根据客户需求，在内部制造与外部代工之间作出选择。
需要注意的是，目前相关合作细节主要来自媒体援引的业内消息，实际量产时间、产能分配等信息仍有待进一步明确。
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