吉林
英特尔联合应用材料攻坚先进封装等技术。
应用材料（AMAT）与英特尔（INTC）宣布深化合作，共同研发下一代人工智能芯片制造技术。双方将合力攻关下一代晶体管、互连技术以及先进封装技术，研发工作将依托应用材料位于硅谷的EPIC中心、英特尔俄勒冈州希尔斯伯勒研发园区开展。合作将覆盖芯片前道、后道工艺，包含基于Foveros的3D堆叠先进封装技术。
应用材料首席执行官兼总裁Gary Dickerson表示，两家企业拥有数十年深度合作基础，持续突破材料工程边界，助力半导体技术迭代；EPIC中心的团队协作，将进一步深化伙伴关系，加速AI计算所需的晶体管、互连与封装技术创新。
英特尔首席执行官陈立武称，AI算力需求倒逼性能、能效、封装技术实现重大突破，英特尔正联合生态合作伙伴推进相关创新。应用材料是重要合作方，双方将扩大在EPIC中心的合作，推动技术从实验室快速走向美国大规模量产。
应用材料布局下一代人工智能芯片制造技术
今年六月，应用材料便推出一系列全新芯片制造设备，覆盖DRAM与先进封装领域，为支撑下一代AI芯片的先进3D架构提供技术支撑，以应对AI行业凸显的“内存墙”痛点，助力芯片厂商高良率、高效率量产新一代AI芯片。其发布的新品分为三大类别：
增强版Centura Prime Epi外延系统：面向DRAM晶圆厂优化，将逻辑级制程引入DRAM生产，提升DRAM运行速度与能效，设备占地面积较原有型号缩小20%，可在紧凑厂区空间下提升产能密度。
三款先进封装制程设备：Opta Quad化学机械抛光系统可实时动态调整抛光参数，大幅提升晶圆抛光均匀性，适配混合键合等3D堆叠高良率需求；Nokota VMax 2电化学沉积系统搭载自适应图形调优技术，提升整片晶圆电镀均匀性，保障硅通孔与微凸点的平整度；Producer Avila 2等离子体增强化学气相沉积系统可沉积应力平衡介质膜层，强化超薄DRAM裸片机械稳定性，支撑12层、16层及以上层数的高带宽内存可靠堆叠。
两款专为先进封装定制的电子束系统：VeritySEM 7AP关键尺寸量测系统检测灵敏度优于10纳米，可精准测量高带宽内存与芯粒架构中异质高翘曲基底的特征尺寸；SEMVision G7AP缺陷分析系统支持多类基底的高分辨率缺陷检测与自动分类，目前已进入头部内存与逻辑芯片制造商的量产线。
此外，应用材料还与Besi近日宣布扩大长期战略合作。Besi将以创新合作伙伴身份加入应用材料的EPIC中心。2020年，应用材料在其位于新加坡的先进封装开发中心与Besi建立了联合卓越中心。双方将应用材料在刻蚀、平坦化、沉积、晶圆清洗、计量、检测和颗粒缺陷控制方面的工艺专长，与Besi在芯片放置、互连及组装方面的技术结合起来。此次合作促成了Kinex的问世，这是业界首款集成式芯片到晶圆混合键合系统。扩大后的合作将聚焦下一代三维集成电路扩展，以及面向人工智能计算和存储器架构的逻辑与存储器集成。
据了解，EPIC中心全称设备与工艺创新及商业化中心，由应用材料出资建设，投资规模达数十亿美元，位于硅谷，内部设有洁净室和实验室。中心要解决的问题，是半导体技术从实验室走向量产过程中周期过长、设备与工艺反复磨合的难题。以往的流程大致是设备厂先造出整机，芯片厂买回产线后再花数月甚至更长时间调试，问题反馈到设备改进，往返多次。EPIC中心把这一过程前移，芯片厂在设备研发阶段就进场，在同一间洁净室里与设备工程师共同跑片、调整参数，争取在设备出厂前把工艺窗口确定下来。应用材料对外强调的缩短研发周期，指的就是这一段。
目前，包括三星电子、SK海力士、美光科技、台积电、博通、凯侠在内的十余家企业与机构均已加入EPIC中心。该中心已进入投运筹备的最后阶段。研发设备正陆续搬入其洁净室，揭牌仪式定于10月12日举行。该中心计划的总投资规模达50亿美元。
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