北京
国家知识产权局信息显示，合肥国家实验室、晋城市光机电产业协调服务中心（晋城市光机电产业研究院）、太原国科半导体光电研究院有限公司申请一项名为“基于泵浦分布调控与腔内可饱和吸收体的高阶横模激光产生装置及方法”的专利，公开号CN122869059A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本申请提供一种基于泵浦分布调控与腔内可饱和吸收体的高阶横模激光产生装置及方法，属于固体激光器领域；克服了现有技术存在的成本高、横模纯度差、相位结构不准确等缺陷；该装置包括谐振腔，谐振腔内设置有增益介质、光阑和可饱和吸收体；增益介质的横向掺杂浓度分布为非均匀分布，以形成与目标高阶横模光强分布相匹配的空间增益轮廓；光阑的孔径可调；可饱和吸收体利用其非线性可饱和吸收特性对不同空间光强分布的横模施加差异化损耗，选择特定阶数横模振荡；本申请通过腔内多重横模选择机制的协同作用，实现高纯度单一阶数横模输出，所产生的高阶横模光束在量子信息处理、光镊、高分辨率成像及光通信轨道角动量复用等领域具有重要应用价值。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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