北京
国家知识产权局信息显示，宁波荣宝雨半导体有限公司申请一项名为“一种金锡合金薄膜制备工艺”的专利，公开号CN122856072A，申请日期为2026年9月。
专利摘要显示，本申请公开了一种金锡合金薄膜制备工艺，属于真空镀膜与电子封装基板制造技术领域。该工艺采用单电子束真空蒸镀设备，通过旋转坩埚切换蒸发原料，在预处理后的陶瓷基板表面交替沉积金单质层与锡单质层，形成多周期超薄交替堆叠的沉积膜，沉积膜最外层为金单质层；沉积过程采用挡板闭环控制物料切换过程，抑制切换阶段的速率波动与喷溅缺陷；沉积完成后经真空退火处理，使金与锡原子充分互扩散，形成均相金锡合金薄膜。本申请兼容通用单电子束蒸镀设备，降低量产投入成本，制备的薄膜组分均匀、厚度一致性佳，熔融性能与焊接可靠性优异，适配高端电子封装的共晶焊接需求。
天眼查资料显示，宁波荣宝雨半导体有限公司，成立于2023年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，宁波荣宝雨半导体有限公司参与招投标项目5次，财产线索方面有商标信息12条，专利信息12条，此外企业还拥有行政许可3个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
