北京
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IT时代网10月3日消息，在全球闪存峰会FMS 2026现场，铠侠与闪迪两家公司分别把BiCS NAND闪存放在显微镜下向观众展示，这家媒体在现场拍摄了多组显微照片。BiCS NAND是铠侠与闪迪联合研发的闪存技术。
铠侠展台展示的是BiCS FLASH第十代1Tb TLC NAND晶圆，采用CBA技术，堆叠层数达332层。在芯片横截面显微视图里，可以看到多层结构并非笔直上下排列，左侧存在明显错位，顶部封装球也提供了直观的比例参照。
闪迪展台则展出了BiCS FLASH第八代封装样品的显微视图，镜头下可以看到不同存储层之间细微的连接导线，这种尺度的细节在日常封装外观下完全不可见。
在AI需求推动下，NAND闪存当前供不应求，在更高容量与更快速度的约束下把更多层数与电路塞进封装，工程难度常被外界低估。这类展会现场的显微演示，让普通观众也有机会直观看到闪存芯片内部的真实构造。
编辑：林一舟
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